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J-GLOBAL ID：200903063114099624

窒化物系半導体素子の製造方法

Inventor：
峯 英規

About 峯 英規

, 
岡川 広明

About 岡川 広明

, 
大内 洋一郎

About 大内 洋一郎


Applicant, Patent owner：
三菱電線工業株式会社

About 三菱電線工業株式会社


Agent (1)： 高島 一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003400017
Publication number (International publication number)：2005166728
Application date： Nov. 28, 2003
Publication date： Jun. 23, 2005
Summary：
【課題】 GaN系半導体ウエハをチップへと分断するための新たな方法を、GaN系素子の製造方法に対して提供すること。【解決手段】 ウエハー基板1の一方の面1a上に、分断後にGaN系素子として機能する素子部を形成し、ウエハー基板1の裏面1bの側または上面1aの側から、該基板の内部に集光点を合わせてレーザ光Lを照射し、分断予定ライン3に沿ってウエハー基板1の内部に、分断に利用可能な改質領域4を形成し、その後、ウエハー基板の他方の面を研削および/または研磨してその厚さを薄くし、先の領域4を利用してチップへと分断する。改質領域4は、基板を研削・研磨しても、除去されない深さに形成する。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
(A)ウエハー基板の一方の面上に窒化物系半導体からなる積層構造部を形成し、分断後に素子となる部位に個々の素子に必要な構造を付与する工程と、 (B)ウエハー基板の一方の面側または他方の面側から、該ウエハー基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、下記(C)の工程の後もウエハー基板として残存する部分の内部に、分断に利用可能な改質領域を分断予定ラインに沿って形成する工程と、 (C)上記(A)、(B)の工程よりも後に、ウエハー基板の他方の面を研削および/または研磨してその厚さを薄くする工程とを、 有することを特徴とする、窒化物系半導体素子の製造方法。
IPC (3)：
H01L21/301 ,  B23K26/00 ,  H01S3/00
FI (4)：
H01L21/78 B ,  B23K26/00 320E ,  H01S3/00 B ,  H01L21/78 V
F-Term (10)：
4E068AD00 ,  4E068AE00 ,  4E068DA10 ,  5F072AB02 ,  5F072MM09 ,  5F072QQ02 ,  5F072RR01 ,  5F072RR05 ,  5F072SS06 ,  5F072YY06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (6)
  • レーザ加工方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-067406   Applicant：浜松ホトニクス株式会社
  • 窒化物半導体素子の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-328665   Applicant：日亜化学工業株式会社
  • 特開平4-111800
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