紫外線発光素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高島一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001080806
Publication number (International publication number)：2002280609
Application date： Mar. 21, 2001
Publication date： Sep. 27, 2002
Summary：

【要約】【課題】発光層の材料をInGaNとした紫外線発光素子の構造を最適化することによって、より高出力で長寿命の紫外線発光素子を提供すること。【解決手段】結晶基板Sの表面に凹凸1Sを加工し、該凹凸に、GaN系半導体低温バッファ層1を介してまたは直接的に、GaN系結晶層2を気相成長させる。該GaN系結晶層は、前記凹凸の凹部内を実質的に充填しかつ該凹凸を埋め込んで平坦化するまで成長させ、その上に、紫外線を発生し得る組成のInGaN結晶層を発光層として成長させて、紫外線発光素子とする。

Claim (excerpt)：

表面に凹凸が加工された結晶基板上に、GaN系半導体からなる低温バッファ層を介してまたは直接的に、GaN系結晶層が気相成長しており、該GaN系結晶の上に、紫外線を発生し得る組成のInGaN結晶層が成長し発光層となっている半導体発光素子構造を有することを特徴とする紫外線発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205

F-Term (35)：

5F041AA04 , 5F041AA40 , 5F041AA44 , 5F041CA05 , 5F041CA22 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA67 , 5F041CA74 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD14 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF06 , 5F045AF09 , 5F045AF12 , 5F045AF13 , 5F045BB12 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045EB15 , 5F045HA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体基材及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-335591 Applicant：三菱電線工業株式会社
窒化ガリウム系半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-292684 Applicant：株式会社東芝
半導体薄膜と半導体素子と半導体装置とこれらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-336307 Applicant：ソニー株式会社

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