画像表示装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：山谷晧榮 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998020566
Publication number (International publication number)：1999219133
Application date： Feb. 02, 1998
Publication date： Aug. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】有機EL画像表示装置において、発光電流駆動用TFTの特性のバラツキによる表示画面のバラツキを改善すること。【解決手段】一画素毎に、直流電源で駆動される薄膜表示素子を有する画像表示装置において、この薄膜表示素子に駆動電流を流す発光電流駆動用TFTの活性層をポリシリコンで形成するとともに、この活性層で構成されるゲートの長さ及び幅の寸法を、それぞれ活性層を構成するポリシリコンの結晶粒領域の平均径の10倍以上にする。

Claim (excerpt)：

一画素毎に直流電源で駆動される薄膜表示素子を有する画像表示装置において、この薄膜表示素子に駆動電流を流す発光電流駆動用TFTの活性層をポリシリコンで形成するとともに、この活性層で構成されるゲートの長さ及び幅の寸法を、それぞれ活性層を構成するポリシリコンの結晶粒領域の平均径の10倍以上にしたことを特徴とする画像表示装置。

IPC (3)：

G09F 9/30 365 , G09F 9/30 338 , H05B 33/26

FI (3)：

G09F 9/30 365 B , G09F 9/30 338 , H05B 33/26 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

特開平3-280434
薄膜半導体素子の製造方法および製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-273051 Applicant：ソニー株式会社
薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-078965 Applicant：三洋電機株式会社

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