窒化物半導体材料を用いたヘテロ接合電界効果型トランジスタ

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002055304
Publication number (International publication number)：2003257999
Application date： Mar. 01, 2002
Publication date： Sep. 12, 2003
Summary：

【要約】【課題】窒化ガリウム系へテロ接合電界効果型トランジスタにおいて、バリアーの構造を改善し、ゲート電流を低減して、移動度を高め、トランジスタ性能の向上を図った構造のヘテロ接合電界効果型トランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】窒化物半導体を用いた電界効果型トランジスタの構造は、窒化ガリウム層とバリアーのヘテロ接合近くに形成されるチャンネルに接するバリアーの部分を、厚さ2nm以下の窒化アルミニウム層と厚さ2nm以下の窒化ガリウム層の多層構造とする。

Claim (excerpt)：

窒化物半導体を用いた電界効果型トランジスタであって、窒化ガリウム層とバリアーのヘテロ接合近くに形成されるチャンネルに接するバリアーの部分が厚さ2nm以下の窒化アルミニウム層と厚さ2nm以下の窒化ガリウム層の多層構造であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812

F-Term (18)：

5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ10 , 5F102GL04 , 5F102GM08 , 5F102GN04 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GR04 , 5F102GR07 , 5F102GS01 , 5F102GT03 , 5F102HC01 , 5F102HC04 , 5F102HC07 , 5F102HC16

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

ヘテロ接合電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-088973 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-196751 Applicant：日本電気株式会社
半導体電界効果トランジスタ及び電力増幅器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-248484 Applicant：株式会社東芝

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Cited by examiner (6)

ヘテロ接合電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-088973 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-196751 Applicant：日本電気株式会社
半導体電界効果トランジスタ及び電力増幅器
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