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J-GLOBAL ID：200903092615422182

半導体装置の作製方法

Inventor： 山口 哲司 ,  浅野 悦子 ,  矢崎 尚美 ,  二村 智哉 ,  西川 智子
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005124371
Publication number (International publication number)：2006054425
Application date： Apr. 22, 2005
Publication date： Feb. 23, 2006
Summary：

【課題】 高い特性及び信頼性を有する半導体装置の作製方法を提供する。【解決手段】 絶縁膜上の電極や配線形成後のドライエッチングにおけるエッチングダメージを防止する。ドライエッチングのプラズマによる荷電粒子の発生を、半導体層に達しないように、導電層を形成してダメージを抑制する。これにより、特に微細化な構造を持つ薄膜トランジスタにおいて、トランジスタ特性の劣化を生じさせない方法を提供することを目的とする。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

基板上に半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極を形成し、 前記半導体層、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極上に層間絶縁膜を形成し、 前記層間絶縁膜上に導電膜を形成し、 前記層間絶縁膜及び導電膜にドライエッチングによってコンタクトホールを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50

FI (3)：

H01L29/78 623Z ,  G02F1/136 ,  H05B33/14 A

F-Term (88)：

2H092GA29 ,  2H092JA24 ,  2H092JA46 ,  2H092JA49 ,  2H092KA04 ,  2H092KA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA20 ,  2H092NA11 ,  2H092NA17 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007GA00 ,  5F110AA21 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE44 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK09 ,  5F110HK21 ,  5F110HK25 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110HL01 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL05 ,  5F110HL08 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110NN01 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ28

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-354643   Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (5)

• 絶縁膜加工法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-213161   Applicant：ヤマハ株式会社
• 半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-097689   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-117720   Applicant：三菱電機株式会社
• デバイスの製造方法及びデバイス製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-087106   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 電子デバイス、配線形成方法および配線形成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-043968   Applicant：セイコーエプソン株式会社