半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999203469
Publication number (International publication number)：2001035983
Application date： Jul. 16, 1999
Publication date： Feb. 09, 2001
Summary：

【要約】【課題】低オン抵抗の半導体ペレットを用いた半導体装置では内部接続部分の電気抵抗によって半導体装置全体のオン抵抗が制限されていた。【解決手段】裏面に第1の電極2を、表面に面積が異なる第2、第3の電極3、4をそれぞれ形成した半導体ペレット1をアイランド5にマウントし、このアイランド5の少なくとも2辺に沿って複数本のリード8、12を配置し、小面積の第2の電極3を1本のリード8aに、第3の電極4を残りのリード8bに分散して接続して、半導体ペレット1を含む主要部分を樹脂11にて被覆したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

一主面に主電流が流入または流出する第1の電極が形成され、他の主面には主電流を制御する小面積の第2の電極及び主電流が流出または流入する大面積の第3の電極がそれぞれ形成された半導体ペレットをアイランドに第1の電極を電気的に接続してマウントし、このアイランドの少なくとも2辺に沿って複数本のリードを配置し、第2の電極を1本のリードに、第3の電極を残りのリードに分散して接続して、半導体ペレットを含む主要部分を樹脂にて被覆したことを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-085868 Applicant：株式会社日立製作所, 日立東部セミコンダクタ株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-050370 Applicant：株式会社日立製作所
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-306827 Applicant：ローム株式会社

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