縦型トランジスタ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：長谷川芳樹 , 寺崎史朗 , 柴田昌聰 , 近藤伊知良
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005136509
Publication number (International publication number)：2006313859
Application date： May. 09, 2005
Publication date： Nov. 16, 2006
Summary：

【課題】高いキャリア濃度を有するp型窒化ガリウムを用いること無い窒化ガリウム系縦型トランジスタを提供する。【解決手段】ウエル領域19は、第2導電型を有しており、また第3のIII族窒化物系半導体から成る。ゲート電極21は、第2のIII族窒化物系半導体から成る第1導電型のソース領域17と第1のIII族窒化物系半導体から成る第1導電型のドリフト領域15との間に設けられたウエル領域19上に設けられている。絶縁層23は、ウエル領域19とゲート電極21との間に設けられている。第3のIII族窒化物系半導体のバンドギャップは、第1のIII族窒化物系半導体のバンドギャップより大きい。第3のIII族窒化物系半導体のバンドギャップは、第2のIII族窒化物系半導体のバンドギャップ以上である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ドレイン領域と、前記ドレイン領域上に設けられており第1のIII族窒化物系半導体から成るドリフト領域と、第1導電型を有しており第2のIII族窒化物系半導体から成るソース領域と、前記ソース領域と前記ドリフト領域との間に設けられており第3のIII族窒化物系半導体から成る第2導電型のウエル領域と、前記ウエル領域上に設けられており前記ドリフト領域と前記ソース領域との間の伝導を制御するためのゲート電極と、前記ウエル領域と前記ゲート電極との間に設けられた絶縁層とを備え、前記第3のIII族窒化物系半導体のバンドギャップは前記第1のIII族窒化物系半導体のバンドギャップより大きく、前記第3のIII族窒化物系半導体のバンドギャップは前記第2のIII族窒化物系半導体のバンドギャップ以上である、ことを特徴とする縦型トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/78 , H01L 29/12 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L29/78 652T , H01L29/78 652H , H01L29/78 658A , H01L29/78 658G

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

縦型電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-119885 Applicant：古河電気工業株式会社

Cited by examiner (4)

自己消弧型半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-204148 Applicant：株式会社日立製作所
炭化珪素半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-217888 Applicant：株式会社デンソー
GaN系トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-133399 Applicant：古河電気工業株式会社

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