電気光学装置及び電子装置

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000166749
Publication number (International publication number)：2001051622
Application date： Jun. 02, 2000
Publication date： Feb. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】動作性能および信頼性の高いEL表示装置を提供する。【解決手段】画素内に形成されるスイッチング用TFT201はマルチゲート構造になっており、オフ電流値の低減に重点をおいた構造となっている。また、電流制御用TFT202はスイッチング用TFTよりも大きなチャネル幅を有し、電流を流すのに適した構造となっている。さらに、電流制御用TFT202のLDD領域33は、ゲート電極35と一部が重なるように形成され、ホットキャリア注入の防止とオフ電流値の低減に重点をおいた構造となっている。

Claim (excerpt)：

第1のTFT、該第1のTFTに電気的に接続されたゲートを有する第2のTFT及び該第2のTFTに電気的に接続されたEL素子を画素に有する電気光学装置において、前記第1のTFTは、直列に接続された二つ以上のチャネル形成領域を有する活性層を含むことを特徴とする電気光学装置。

IPC (8)：

G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 , H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 27/08 331 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H05B 33/14

FI (7)：

G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 Z , H01L 27/08 331 E , H05B 33/14 A , H01L 27/08 102 B , H01L 29/78 616 A , H01L 29/78 617 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

薄膜トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-327473 Applicant：三洋電機株式会社
薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-212716 Applicant：ソニー株式会社
MOSトランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-278913 Applicant：日本電信電話株式会社

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