Pat
J-GLOBAL ID:200903093313207572

電極気密封止を用いた高信頼性半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 山崎 宏 ,  矢野 正樹
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004250443
Publication number (International publication number):2006066808
Application date: Aug. 30, 2004
Publication date: Mar. 09, 2006
Summary:
【課題】 半導体チップが配線基板に電気的接続された半導体装置であって、分解が容易でリペアやリサイクルに有利で、高い信頼性を有する半導体装置を提供する。 【解決手段】 半導体チップ上に形成された電極および配線基板上に形成された電極を真空または電極と反応しないガスを封止した枠構造を用いて封止することによって、封止樹脂を用いることなく、これらの電極が酸素や水分からの攻撃により劣化することを防止し、さらに、半導体チップ上に形成された電極と配線基板上に形成された電極とを接触により電気的接続を達成することによって、分離可能性を向上させる。【選択図】 なし。
Claim (excerpt):
1または複数の電極が形成された第1の基板と、1または複数の電極が形成された第2の基板と、枠構造とを含み、 第1の基板上に形成された1または複数の電極の各々が第2の基板上に形成された対応する1または複数の電極の各々に電気的接続し、 枠構造が第1および第2の基板上に形成された電極を取り囲み、これによってこれらの電極が気密封止され、 第1の基板と第2の基板とが枠構造を介して接合されている半導体装置。
IPC (4):
H01L 23/02 ,  H01L 21/60 ,  H01L 23/10 ,  H01L 23/20
FI (4):
H01L23/02 J ,  H01L21/60 311S ,  H01L23/10 B ,  H01L23/20
F-Term (8):
5F044KK05 ,  5F044KK17 ,  5F044KK18 ,  5F044LL01 ,  5F044LL17 ,  5F044RR17 ,  5F044RR18 ,  5F044RR19
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (11)
Show all
Cited by examiner (6)
Show all

Return to Previous Page