高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小島隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001056669
Publication number (International publication number)：2001323027
Application date： Mar. 01, 2001
Publication date： Nov. 20, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【解決手段】式(1)で示される繰り返し単位を有するMw1,000〜500,000の高分子化合物。(R1はH、CH3又はCH2CO2R3、R2はH、CH3又はCO2R3、R3はアルキル基、R4はH、アルキル基、アルコキシアルキル基、又はアシル基、R5及びR15は酸不安定基、R6〜R9の少なくとも1個はカルボキシ基又は水酸基を含有する1価の炭化水素基、残りはH又はアルキル基、R10〜R13の少なくとも1個は-CO2-部分構造を含有する1価の炭化水素基、残りはH又はアルキル基、R14は多環式炭化水素基又は多環式炭化水素基を含有するアルキル基、Zは3価の炭化水素基、)【効果】上記高分子化合物を含有するレジスト材料は、ArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいため、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成することができる。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(式中、R1は水素原子、メチル基又はCH2CO2R3を示す。R2は水素原子、メチル基又はCO2R3を示す。R3は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R4は水素原子、炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数2〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルキル基、又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアシル基を示す。R5及びR15は酸不安定基を示す。R6〜R9の少なくとも1個は炭素数1〜15のカルボキシ基又は水酸基を含有する1価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R6〜R9は互いに環を形成していてもよく、その場合にはR6〜R9の少なくとも1個は炭素数1〜15のカルボキシ基又は水酸基を含有する2価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に単結合又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を示す。R10〜R13の少なくとも1個は炭素数2〜15の-CO2-部分構造を含有する1価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R10〜R13は互いに環を形成していてもよく、その場合にはR10〜R13の少なくとも1個は炭素数1〜15の-CO2-部分構造を含有する2価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に単結合又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を示す。R14は炭素数7〜15の多環式炭化水素基又は多環式炭化水素基を含有するアルキル基を示す。Zは炭素数1〜10の3価の炭化水素基を示す。ZはR1と環を形成してもよく、その場合はR1はメチレン、Zは炭素数1〜10の4価の炭化水素基を示す。kは0又は1である。xは0を超える数、a、b、c、dは0以上の数であり、x+a+b+c+d=1である。)

IPC (4)：

C08F 32/08 , G03F 7/039 601 , G03F 7/38 501 , H01L 21/027

FI (4)：

C08F 32/08 , G03F 7/039 601 , G03F 7/38 501 , H01L 21/30 502 R

F-Term (52)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA09 , 2H025AA14 , 2H025AB16 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB41 , 2H025CB55 , 2H025FA01 , 2H025FA12 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096DA01 , 2H096EA05 , 2H096EA06 , 2H096FA01 , 4J100AR09P , 4J100AR11P , 4J100AR11R , 4J100AR32Q , 4J100BA03P , 4J100BA03Q , 4J100BA03R , 4J100BA04P , 4J100BA11Q , 4J100BA15P , 4J100BA15Q , 4J100BA15R , 4J100BA20P , 4J100BA72P , 4J100BA72Q , 4J100BA72R , 4J100BC03P , 4J100BC03Q , 4J100BC03R , 4J100BC04P , 4J100BC04Q , 4J100BC04R , 4J100BC08P , 4J100BC08Q , 4J100BC08R , 4J100CA01 , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

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