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J-GLOBAL ID：200903093799133133

半導体装置、有機トランジスタ及びその作製方法

Inventor： 今林 良太 ,  古川 忍 ,  磯部 敦生 ,  荒井 康行 ,  山崎 舜平
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006117481
Publication number (International publication number)：2006332614
Application date： Apr. 21, 2006
Publication date： Dec. 07, 2006
Summary：

【課題】緻密かつ絶縁耐性が強い高品質なゲート絶縁膜を形成し、トンネルリーク電流が少ない信頼性の高い有機トランジスタを提案することを目的とする。【解決手段】電子密度が1011cm-3以上かつ電子温度が0.2eV以上2.0eV以下の高密度プラズマを用いて酸素(もしくは酸素を含むガス)や窒素(もしくは窒素を含むガス)などをプラズマ励起によって活性化し、ゲート電極となる導電層の一部と直接反応させ絶縁化することでゲート絶縁膜を形成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

電子密度が1011cm-3以上かつ電子温度が0.2eV以上2.0eV以下の高密度プラズマを用いて形成された絶縁膜と、 有機半導体材料を含む半導体層とが接する有機トランジスタで回路が形成された半導体装置。

IPC (8)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/283 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316

FI (9)：

H01L29/78 617V ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/283 B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 280 ,  H01L21/312 M ,  H01L21/316 M

F-Term (80)：

4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104DD35 ,  4M104EE03 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104HH08 ,  4M104HH20 ,  5F058AA10 ,  5F058AB05 ,  5F058AB06 ,  5F058AB07 ,  5F058AC02 ,  5F058AC10 ,  5F058AD04 ,  5F058AD09 ,  5F058AD10 ,  5F058AE02 ,  5F058AH02 ,  5F058BA20 ,  5F058BD19 ,  5F110AA06 ,  5F110AA12 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD25 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF22 ,  5F110FF25 ,  5F110FF26 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK18 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 薄膜トランジスタおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-341347   Applicant：株式会社日立製作所

Cited by examiner (7)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-202147   Applicant：松下電器産業株式会社
• 電界効果型トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-323966   Applicant：ソニー株式会社
• 有機薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-320342   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置の低誘電率絶縁膜形成方法、その方法を用いた半導体装置および低誘電率絶縁膜形成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-190501   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 絶縁膜の形成方法、および薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-128859   Applicant：松下電器産業株式会社
• デンドリック高分子及びこれを用いた電子デバイス素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-297356   Applicant：シャープ株式会社, 東洋合成工業株式会社
• 有機半導体素子、有機半導体装置、有機エレクトロルミネッセンス素子および有機エレクトロルミネッセンス装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-019571   Applicant：大日本印刷株式会社