デンドリック高分子及びこれを用いた電子デバイス素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：栗原浩之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003297356
Publication number (International publication number)：2004107651
Application date： Aug. 21, 2003
Publication date： Apr. 08, 2004
Summary：

【課題】有機溶媒に対する溶解性が高く、かつ酸素や水分の外部阻害を受け難く安定であり、等方性で極めて高いキャリア伝導性を有する有機半導体材料となる新規デンドリック高分子を提供することができ、また、極めて高いキャリア伝導性を持ち、簡便なプロセスで得られるキャリア伝導を必要とする電子デバイス素子を提供する。【解決手段】分岐部を有する繰り返し単位を含んだ分岐構造を有し且つ末端に芳香族アミン構造を有するデンドリック高分子であって、前記繰り返し単位が下記式(1)で表わされるフェニレンビニレン構造であり且つこれが2段以上繰り返されている。【化1】【選択図】なし

Claim (excerpt)：

分岐部を有する繰り返し単位を含んだ分岐構造を有し且つ末端に芳香族アミン構造を有するデンドリック高分子であって、前記繰り返し単位が下記式(1)で表わされるフェニレンビニレン構造であり且つこれが2段以上繰り返されていることを特徴とするデンドリック高分子。

IPC (4)：

C08G61/02 , H01B1/12 , H01L29/786 , H01L51/00

FI (4)：

C08G61/02 , H01B1/12 Z , H01L29/78 618B , H01L29/28

F-Term (25)：

4J032CA04 , 4J032CA14 , 4J032CB03 , 4J032CG01 , 5F110AA01 , 5F110AA16 , 5F110CC03 , 5F110DD02 , 5F110EE04 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110FF22 , 5F110GG05 , 5F110GG28 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK32 , 5H032AA06 , 5H032AS16 , 5H032EE20 , 5H050AA12 , 5H050BA18 , 5H050CA20 , 5H050CB20 , 5H050HA02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (13)

ポリチオフェンを用いたEL素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-170312 Applicant：山本隆一, ティーディーケイ株式会社
特許第3093796号公報
特開平4-133351号公報

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