強誘電体膜の製造方法および強誘電体素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：外川英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999003928
Publication number (International publication number)：2000208646
Application date： Jan. 11, 1999
Publication date： Jul. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】高品質な強誘電体膜を製造する強誘電体膜の製造方法を提供する。【解決手段】基体表面に凹凸を形成する基体凹凸形成工程と、この基体表面に強誘電体を成膜する強誘電体成膜工程を備えることを特徴とする強誘電体膜の製造方法。

Claim (excerpt)：

基体表面に凹凸を形成する基体凹凸形成工程と、この基体表面に強誘電体を成膜する強誘電体成膜工程を備えることを特徴とする強誘電体膜の製造方法。

IPC (9)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , C23C 16/40 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (5)：

H01L 29/78 371 , C23C 16/40 , H01L 27/10 451 , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651

F-Term (38)：

4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030DA08 , 4K030HA03 , 4K030LA15 , 5F001AA17 , 5F001AB02 , 5F001AD12 , 5F001AF25 , 5F001AG01 , 5F001AG17 , 5F001AG30 , 5F038AC10 , 5F038AC15 , 5F038AC18 , 5F038DF05 , 5F038EZ17 , 5F083AD21 , 5F083AD63 , 5F083EP22 , 5F083EP48 , 5F083EP49 , 5F083FR01 , 5F083FR05 , 5F083GA21 , 5F083GA22 , 5F083GA30 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083MA01 , 5F083MA19 , 5F083NA02 , 5F083PR05 , 5F083PR23 , 5F083PR33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

誘電体キャパシタ及び誘電体メモリ装置と、これらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-358134 Applicant：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-220221 Applicant：セイコーエプソン株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-356493 Applicant：株式会社東芝

Show all

Return to Previous Page