Pat
J-GLOBAL ID:200903093850802169

結晶表面層の結晶性評価方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (6): 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004252704
Publication number (International publication number):2006071354
Application date: Aug. 31, 2004
Publication date: Mar. 16, 2006
Summary:
【課題】 本発明は、結晶表面層における結晶の歪みを、直接かつ確実に評価することができる結晶表面層の結晶性評価方法を提供する。【解決手段】 X線回折法を用いて、結晶1の表面1sから深さ方向への結晶性の変化を評価することにより、結晶表面層の結晶性を評価する方法であって、結晶の一つの結晶格子面に対する回折条件を満たすように、連続的にX線侵入深さを変えて結晶にX線を照射して、この結晶格子面についての回折プロファイルにおける面間隔および回折ピークの半価幅ならびにロッキングカーブにおける半価幅のうち少なくともいずれかの変化量を評価することを特徴とする結晶表面層の結晶性評価方法。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
X線回折法を用いて、結晶の表面から深さ方向への結晶性の変化を評価することにより、結晶表面層の結晶性を評価する方法であって、 前記結晶の一つの結晶格子面に対する回折条件を満たすように、連続的にX線侵入深さを変えて前記結晶にX線を照射して、前記結晶格子面についての回折プロファイルにおける面間隔および回折ピークの半価幅ならびにロッキングカーブにおける半価幅のうち少なくともいずれかの変化量を評価することを特徴とする結晶表面層の結晶性評価方法。
IPC (1):
G01N 23/207
FI (1):
G01N23/207
F-Term (9):
2G001AA01 ,  2G001BA18 ,  2G001CA01 ,  2G001GA08 ,  2G001GA13 ,  2G001KA08 ,  2G001KA12 ,  2G001LA20 ,  2G001RA01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
Show all
Article cited by the Patent:
Return to Previous Page