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J-GLOBAL ID:200903093850802169
結晶表面層の結晶性評価方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (6):
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004252704
Publication number (International publication number):2006071354
Application date: Aug. 31, 2004
Publication date: Mar. 16, 2006
Summary:
【課題】 本発明は、結晶表面層における結晶の歪みを、直接かつ確実に評価することができる結晶表面層の結晶性評価方法を提供する。【解決手段】 X線回折法を用いて、結晶1の表面1sから深さ方向への結晶性の変化を評価することにより、結晶表面層の結晶性を評価する方法であって、結晶の一つの結晶格子面に対する回折条件を満たすように、連続的にX線侵入深さを変えて結晶にX線を照射して、この結晶格子面についての回折プロファイルにおける面間隔および回折ピークの半価幅ならびにロッキングカーブにおける半価幅のうち少なくともいずれかの変化量を評価することを特徴とする結晶表面層の結晶性評価方法。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
X線回折法を用いて、結晶の表面から深さ方向への結晶性の変化を評価することにより、結晶表面層の結晶性を評価する方法であって、
前記結晶の一つの結晶格子面に対する回折条件を満たすように、連続的にX線侵入深さを変えて前記結晶にX線を照射して、前記結晶格子面についての回折プロファイルにおける面間隔および回折ピークの半価幅ならびにロッキングカーブにおける半価幅のうち少なくともいずれかの変化量を評価することを特徴とする結晶表面層の結晶性評価方法。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (9):
2G001AA01
, 2G001BA18
, 2G001CA01
, 2G001GA08
, 2G001GA13
, 2G001KA08
, 2G001KA12
, 2G001LA20
, 2G001RA01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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単結晶の結晶性評価方法及び装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-329677
Applicant:住友電気工業株式会社
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特開昭49-076570
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単結晶表面層の評価方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-220073
Applicant:伊藤進夫, 住友電気工業株式会社
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X線装置と該装置を用いた評価解析方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-037917
Applicant:シャープ株式会社
-
X線回折を用いた結晶の観察方法及びその観察装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-089382
Applicant:科学技術振興事業団, 理学電機株式会社
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特開平1-163646
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X線回折測定方法及びX線回折測定装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-145226
Applicant:株式会社日立製作所
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X線応力測定方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-214769
Applicant:トヨタ自動車株式会社
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特開昭61-296245
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Article cited by the Patent:
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