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J-GLOBAL ID:200903093969510034

導電性棒状単結晶加工体及びこれを用いた電気特性測定用組立物

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995113105
Publication number (International publication number):1996304456
Application date: May. 11, 1995
Publication date: Nov. 22, 1996
Summary:
【要約】 (修正有)【目的】 破損し難く、被検査体と位置精度よく接触させることができ、被検査体と十分な導通がはかれる導電性棒状単結晶加工体、さらに所望の位置に精度よく、高密度に形成された該導電性棒状単結晶加工体、及びこれらの導電性棒状加工体を用いた電気特性測定用組立物を得る。【構成】 VLS成長法にて形成されたアスペクト比1〜500の棒状単結晶体の少なくとも側面が 0.1〜 10 μm厚の導電性膜で被覆されてなる導電性棒状加工体の固定面と先端との距離L(μm)が該導電性棒状加工体の直径d(μm)が以下の範囲にあることを特徴とする導電性棒状加工体、及びこれを用いた電気特性測定用組立物。プローブカードなどの用途に好適である。10≦L≦3000、0.1≦d≦600、d-2.4×L2.8 ≧5.0×104
Claim (excerpt):
VLS成長法にて形成されたアスペクト比1〜500の棒状単結晶体又はその先端合金部を除去した棒状単結晶体の少なくとも側面が0.1〜10μmの厚さの導電性膜で被覆されてなる導電性棒状単結晶加工体の固定面と先端との距離L(μm)と該棒状単結晶体の直径d(μm)が以下の範囲にあることを特徴とする導電性棒状単結晶加工体。10≦L≦3000、0.1≦d≦600、d-2.4×L2.8 ≧5.0×104
IPC (2):
G01R 1/073 ,  H01L 21/66
FI (2):
G01R 1/073 E ,  H01L 21/66 B
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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