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J-GLOBAL ID：200903094427932052

半導体の製造方法、半導体装置の製造方法及び半導体基板の製造方法

Inventor： 長谷川 義晃 ,  石橋 明彦 ,  上村 信行 ,  伴 雄三郎 ,  粂 雅博 ,  原 義博 ,  木戸口 勲 ,  辻村 歩
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998163806
Publication number (International publication number)：1999074563
Application date： Jun. 11, 1998
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】 Inの組成を大きくしても結晶性に優れたInGaN結晶を得られるようにする。【解決手段】 MOVPE法を用いて上面に側面方向の幅が10μm程度の凸部11aを有するサファイアよりなる基板11Aの上面に全面にわたって、Aly Ga1-y Nよりなる第1の半導体層12Aと、Inx Ga1-x Nよりなる第2の半導体層13とを順次成長させる。これにより、基板11Aの凸部11aの頂面の上に、孤立した第1の半導体層12a及び孤立した第2の半導体層13aよりなる島状の積層体14Aが形成される。

Claim (excerpt)：

上面に凸部を有する基板の上に全面にわたって、III 族窒化物よりなる第1の半導体層を成長させる工程と、前記第1の半導体層の上に全面にわたってInx Ga1-x N(但し、xは0≦x≦1とする。)よりなる第2の半導体層を成長させることにより、前記基板の前記凸部の頂面の上に前記第1の半導体層及び第2の半導体層よりなる島状の積層体を形成する工程とを備えていることを特徴とする半導体の製造方法。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

FI (3)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-317844   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-317846   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体レーザとその製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-229068   Applicant：ソニー株式会社
• 埋め込み構造半導体レーザの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-258934   Applicant：日本電信電話株式会社
• 導波路集積素子の製造方法,及び導波路集積素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-250634   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体レーザおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-282411   Applicant：日本電信電話株式会社