シリコン単結晶ウエ-ハの製造方法およびシリコン単結晶ウエ-ハ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：好宮幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999044634
Publication number (International publication number)：1999322490
Application date： Feb. 23, 1999
Publication date： Nov. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】 CZ法によって作製されるシリコン単結晶ウエーハにおける、結晶欠陥の成長を抑制し、特にウエーハの表面層での結晶欠陥の成長をなくすと共に、たとえ低密度の結晶欠陥が発生しても、短時間の熱処理により確実に除去して、きわめて低欠陥のシリコン単結晶ウエーハを、高生産性でかつ簡単に作製する製造方法を提供する。【解決手段】チョクラルスキー法によって窒素をドープしたシリコン単結晶棒を育成し、該単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウエーハに加工した後、該シリコン単結晶ウエーハに急速加熱・急速冷却装置により熱処理を加えることを特徴とするシリコン単結晶ウエーハの製造方法、およびこの方法で製造されたシリコン単結晶ウエーハ。

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー法によって窒素をドープしたシリコン単結晶棒を育成し、該単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウエーハに加工した後、該シリコン単結晶ウエーハに急速加熱・急速冷却装置により熱処理を加えることを特徴とするシリコン単結晶ウエーハの製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

シリコン単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-128062 Applicant：信越半導体株式会社
単結晶引上げ方法及びその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-062248 Applicant：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
特開昭60-249336

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