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J-GLOBAL ID：200903094845371130

位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク並びにそれらの製造方法

Inventor： 稲月 判臣 ,  吉川 博樹 ,  岡崎 智
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (3)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003094321
Publication number (International publication number)：2004302078
Application date： Mar. 31, 2003
Publication date： Oct. 28, 2004
Summary：

【解決手段】露光光に対して透明な基板上に位相シフト膜を設けた位相シフトマスクブランクであって、上記位相シフト膜が、金属及びシリコンを含み、かつ金属とシリコンの組成比が互いに異なる複数の層を、位相シフト膜の基板側から表層側に向かってエッチングレートが速い層が基板側、エッチングレートが遅い層が表層側となるように順に積層したものであることを特徴とする位相シフトマスクブランク。【効果】本発明の位相シフトマスクブランクは、エッチング、特に反応性イオンエッチング(RIE)によりマスクパターンを形成する際の、エッチ断面形状の垂直性が良いものであり、これによって、より精密なパターンニングが可能となり、更なる半導体集積回路の微細化、高集積化に十分対応することが可能となる。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

露光光に対して透明な基板上に位相シフト膜を設けた位相シフトマスクブランクであって、上記位相シフト膜が、金属及びシリコンを含み、かつ金属とシリコンの組成比が互いに異なる複数の層を、位相シフト膜の基板側から表層側に向かってエッチングレートが速い層が基板側、エッチングレートが遅い層が表層側となるように順に積層したものであることを特徴とする位相シフトマスクブランク。

IPC (2)：

G03F1/08 ,  H01L21/027

FI (3)：

G03F1/08 K ,  G03F1/08 A ,  H01L21/30 502P

F-Term (4)：

2H095BB03 ,  2H095BB27 ,  2H095BC05 ,  2H095BC08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びそれを用いたハーフトーン型位相シフトマスク
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-023276   Applicant：凸版印刷株式会社
• 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及びこれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-212782   Applicant：信越化学工業株式会社
• 位相シフトフォトマスクブランクス、位相シフトフォトマスク、及びそれらの製造方法。
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-091401   Applicant：アルバック成膜株式会社, 三菱電機株式会社
• フォトマスクブランク、フォトマスク及びこれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-035783   Applicant：信越化学工業株式会社
• 露光用基板と露光用マスク及び露光用基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-273980   Applicant：株式会社東芝
• フォトマスク用ブランクス及びフォトマスクの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-265315   Applicant：信越化学工業株式会社