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J-GLOBAL ID:200903095195162154 半導体装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner: Agent (1):
伊東 忠彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002327305
Publication number (International publication number):2004165297
Application date: Nov. 11, 2002
Publication date: Jun. 10, 2004
Summary:
【課題】カーボン・ナノチューブを有し量産に適した半導体装置を提供すること。を目的とする。【解決手段】本発明による半導体装置は、半導体基板に設けられた第1電極層と、前記第1電極層に対向する位置に設けられた第2電極層と、前記第1および第2電極層の間に絶縁層を介して設けられた第3電極層と、前記第3電極層および前記絶縁層を貫通し、前記第1および第2電極層に結合されるカーボン・ナノチューブより成る半導体部材を有する。前記第3電極層に制御電圧を印加することによって、前記第1および第2電極層間のチャネルが制御される。【選択図】 図3
Claim (excerpt):
基板に設けられた第1電極層と、
前記第1電極層に対向する位置に設けられた第2電極層と、
前記第1および第2電極層の間に絶縁層を介して設けられた第3電極層と、
前記第3電極層および前記絶縁層を貫通し、前記第1および第2電極層に結合されるカーボン・ナノチューブより成る半導体部材
を有し、前記第3電極層に制御電圧を印加することによって、前記第1および第2電極層間のチャネルが制御されることを特徴とする半導体装置。
IPC (6):
H01L29/786
, H01L21/205
, H01L21/8234
, H01L27/088
, H01L29/06
, H01L29/78
FI (7):
H01L29/78 626A
, H01L21/205
, H01L29/06 601N
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 653D
, H01L29/78 618B
, H01L27/08 102E
F-Term (48):
5F045AB02
, 5F045AF14
, 5F045BB16
, 5F045CA05
, 5F045HA05
, 5F045HA06
, 5F048AC01
, 5F048AC03
, 5F048AC04
, 5F048BA14
, 5F048BA16
, 5F048BB01
, 5F048BB04
, 5F048BB09
, 5F048BB11
, 5F048BC03
, 5F048BC11
, 5F048BC15
, 5F048BD07
, 5F048BF06
, 5F048BF07
, 5F048CB07
, 5F110AA30
, 5F110BB04
, 5F110CC09
, 5F110DD05
, 5F110DD13
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF22
, 5F110FF29
, 5F110GG01
, 5F110GG23
, 5F110GG28
, 5F110GG29
, 5F110GG32
, 5F110GG41
, 5F110GG44
, 5F110GG57
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK05
, 5F110HK06
, 5F110HK09
, 5F110HK14
, 5F110QQ11
, 5F110QQ19
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