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J-GLOBAL ID：200903095353948934

銅への改善された接着性および銅エレクトロマイグレーション耐性

Inventor： レイモンド ニコラス バーティス ,  ローラ エム.マッツ ,  マーク レオナルド オニール
Applicant, Patent owner： エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド
Agent (6)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  蛯谷 厚志 ,  小林 良博 ,  出野 知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009072147
Publication number (International publication number)：2009239283
Application date： Mar. 24, 2009
Publication date： Oct. 15, 2009
Summary：

【課題】本発明は、パターン形成された導電性金属層、およびパターン形成された障壁誘電体層との間に改善された接着性を与えるものである。【解決手段】本発明は、パターン形成された導電性金属層、通常は銅層、およびパターン形成された障壁誘電体層との間の改善された接着に関する。 改善された接着性を有するこの構造は、パターン形成された障壁誘電体層とパターン形成された導電性金属層との間に接着層を含んでいる。この接着層は、銅のバルク電気抵抗率を増加することなしに、金属層と障壁層との間の接着力を、向上させる。改善された接着性を有する構造を作る方法は、パターン形成された導電性金属層を有機金属前駆体に熱的に暴露させ、少なくとも、パターン形成された導電性金属層の表面上に、接着層を堆積させる工程を含んでいる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

以下の工程、 (a)処理チャンバーに基材を供給する工程であって、該基材はパターン形成された少なくとも1つの誘電体層およびパターン形成された少なくとも1つの導電性金属層を含んでいる工程、および (b)少なくとも、パターン形成された少なくとも1つの導電性金属層上に、接着層を選択的に堆積するために、有機金属前駆体を前記の処理チャンバーに導入する工程であって、前記の有機金属前駆体は、有機亜鉛、有機銀、有機クロム、有機スズ、有機マンガン、有機ニッケル、有機コバルト、有機アルミニウム、およびそれらの混合物からなる群から選ばれる工程、 を含む半導体装置の接着力を改善する方法。

IPC (6)：

H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285 ,  C23C 16/02 ,  H01L 21/316

FI (6)：

H01L21/88 R ,  H01L21/88 M ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 C ,  C23C16/02 ,  H01L21/316 X

F-Term (68)：

4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030BA48 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB08 ,  4M104BB13 ,  4M104BB36 ,  4M104DD45 ,  4M104DD47 ,  4M104DD86 ,  4M104EE01 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104FF18 ,  4M104HH09 ,  4M104HH16 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH14 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033PP02 ,  5F033PP03 ,  5F033PP06 ,  5F033PP09 ,  5F033PP10 ,  5F033PP12 ,  5F033QQ00 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR11 ,  5F033RR25 ,  5F033RR29 ,  5F033SS11 ,  5F033WW04 ,  5F033WW09 ,  5F033XX05 ,  5F033XX10 ,  5F033XX14 ,  5F033XX20 ,  5F058BA10 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BE10 ,  5F058BF07 ,  5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 1ないし5nmの厚さの金属キャップを用いる改良されたオンチップCu相互接続
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-007419   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-213593   Applicant：NECエレクトロニクス株式会社
• 成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-308529   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 前駆原料混合物、膜付着方法、及び構造の形成
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-122174   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• ガス制御装置及びガス供給方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-325319   Applicant：エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテッド
• 自己整合型銅キャップ拡散障壁形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-278199   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテッド
• 集積回路内での金属層の選択的形成
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-309116   Applicant：日本エー・エス・エム株式会社
• 薄膜トランジスタ及び半導体デバイスの作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-116965   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所