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J-GLOBAL ID：200903087912520254

集積回路内での金属層の選択的形成

Inventor： オルリ・ヴィ・キルペーラ ,  コウ・ワンヨン ,  ハヌー・エー・ホータリ ,  マルコ・ツオミネン ,  ミイカ・レニカ
Applicant, Patent owner： 日本エー・エス・エム株式会社
Agent (2)： 竹内 澄夫 ,  堀 明▲ひこ▼
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005309116
Publication number (International publication number)：2006128680
Application date： Oct. 24, 2005
Publication date： May. 18, 2006
Summary：

【課題】集積回路(IC)メタライゼーションにおいて信頼性が高いインターフェースを形成するための、生産的かつ制御可能な方法を与える。【解決手段】埋め込み銅配線の表面が露出したビア底またはCMP直後の銅配線の上面での銅相互接続及び/またはコンタクトの信頼性を強化するための方法が与えられる。当該方法は、露出した銅表面を貴金属から成る気相化合物と接触させる工程と、銅置換反応または貴金属の選択的蒸着(例えば、ALDまたはCVD)により、露出した銅表面上に貴金属の層を選択的に形成する工程から成る。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

集積回路中に導電層を選択的に形成するための方法であって、 銅から成る第1表面、及び第2表面を与える工程と、 第1表面及び第2表面を貴金属の気相化合物と接触させる工程であって、それによって貴金属から成る導電層を第2表面と比較して第1表面上に選択的に形成するところの工程と、 から成る方法。

IPC (8)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/768 ,  C23C 16/04 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/455

FI (7)：

H01L21/285 C ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/88 M ,  H01L21/90 A ,  C23C16/04 ,  C23C16/18 ,  C23C16/455

F-Term (57)：

4K030AA11 ,  4K030BA01 ,  4K030BB14 ,  4K030CA02 ,  4K030EA03 ,  4K030EA11 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104BB32 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD19 ,  4M104DD23 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104DD46 ,  4M104DD75 ,  4M104FF13 ,  4M104FF18 ,  4M104HH15 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH17 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK07 ,  5F033KK11 ,  5F033KK13 ,  5F033KK32 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN03 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP02 ,  5F033PP07 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033WW05 ,  5F033XX24

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 米国特許第5,695,810号
  

Cited by examiner (9)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-040554   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置の配線構造およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-030432   Applicant：日本電信電話株式会社
• 成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-308529   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-195997   Applicant：NECエレクトロニクス株式会社
• 貴金属含有パターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-030608   Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-387408   Applicant：株式会社東芝
• 配線の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-069592   Applicant：住友金属工業株式会社
• 成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-291667   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 特開平2-025568