樹脂封止型半導体装置およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998010127
Publication number (International publication number)：1998270611
Application date： Jan. 22, 1998
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】強誘電体薄膜を使った樹脂封止型半導体装置の強誘電体特性劣化防止およびハンダリフロー耐性の向上を発明の課題とする。【解決手段】半導体素子の表面保護膜を、ポリイミド前駆体組成物膜を230°C〜300°Cで加熱して硬化させて形成する。表面保護膜は、ガラス転移温度が240°C〜400°Cであり、かつ、ヤング率が2600MPa〜6GPaであるポリイミドからなる。また、ポリイミド前駆体組成物の加熱硬化温度が300°Cより高温であっても、350°C以下の短時間(用いる半導体素子の耐熱性にもよるが、通常4分以内)の熱処理で、かつ、形成されるポリイミド膜のヤング率が3500MPa以上、ガラス転移温度が260°C以上であれば、強誘電体膜の分極特性を劣化させることなく、本発明の課題を解決することができる。

Claim (excerpt)：

強誘電性膜および表面保護膜を有する半導体素子と、樹脂からなる封止部材とを備え、上記表面保護膜はポリイミドからなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。

IPC (3)：

H01L 23/29 , H01L 23/31 , H01L 21/56

FI (4)：

H01L 23/30 A , H01L 21/56 R , H01L 23/30 D , H01L 23/30 B

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-106842 Applicant：株式会社日立製作所
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-027367 Applicant：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
酸化ビスマスの生成方法、酸化物膜の形成方法、及び半導体素子のキャパシタ構造の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-255542 Applicant：ソニー株式会社

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半導体装置
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