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J-GLOBAL ID：200903081169242599

半導体発光装置

Inventor：
ジョン・レニー

About ジョン・レニー

, 
波多腰 玄一

About 波多腰 玄一

, 
笹沼 克信

About 笹沼 克信


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997039345
Publication number (International publication number)：1998242512
Application date： Feb. 24, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：
【要約】【課題】Inを含むMQW活性層とガイド層との界面に生じる格子不整合を緩和し、低しきい値電流密度、低電圧動作の半導体発光装置を提供する。【解決手段】活性層とガイド層との界面近傍において活性層を構成する井戸層のIn組成を下げることにより、MQW活性層の発光効率を高める歪み緩和層を形成することができる。また活性層とガイド層との界面近傍において活性層を構成すると障壁層のIn組成を下げた組成変調層を導入することにより、界面近傍での井戸層と障壁層のバンドギャップ差を活性層中心領域のバンドギャップ差より大としてキャリアオーバーフロー効果を防止し、GaN系レーザ装置のしきい値電流密度と動作電圧を低減することができる。さらに本発明を用いればAlGaNキャップ層のAl組成を低組成にできるため、キャップ層による動作電圧の増加を最小にすることができる。
Claim (excerpt)：
障壁層と井戸層とが交互に積層された超格子からなる活性層を有する半導体発光装置において、前記超格子からなる活性層は、前記超格子の中央部の障壁層及び井戸層とは少なくとも組成及び厚さのいずれかが異なる、少なくとも1つの障壁層及び井戸層のいずれかを終端部に含むものであることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (16)
  • 半導体光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-164732   Applicant：古河電気工業株式会社
  • 窒化物半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-314339   Applicant：日亜化学工業株式会社
  • 特開平2-228087
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Cited by examiner (16)
  • 半導体光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-164732   Applicant：古河電気工業株式会社
  • 窒化物半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-314339   Applicant：日亜化学工業株式会社
  • 特開平2-228087
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