半導体装置およびその製造方法、キャパシタの製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊東忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999241478
Publication number (International publication number)：2000156473
Application date： Aug. 27, 1999
Publication date： Jun. 06, 2000
Summary：

【要約】【課題】強誘電体あるいは高誘電体キャパシタを有する半導体装置の製造方法において、強誘電体膜あるいは高誘電体膜の特性を向上させ、リーク電流を低減する。【解決手段】強誘電体膜上に形成される上側電極を、酸化雰囲気中で形成する。また、強誘電体膜あるいは高誘電体膜の結晶化工程を、最初に不活性雰囲気中における熱処理により、次に酸化雰囲気中における熱処理により行なう。

Claim (excerpt)：

強誘電体キャパシタを有する半導体装置の製造方法において、下側電極を形成する工程と、前記下側電極上にペロブスカイト型構造を有する強誘電体膜を堆積する工程と、前記強誘電体膜を酸化雰囲気中において熱処理し、結晶化する工程と、前記結晶化工程の後、前記強誘電体膜上に上側電極を形成する工程とよりなり、前記上側電極を形成する工程において、前記上側電極は酸化雰囲気中で形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (8)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

強誘電性キャパシタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-061414 Applicant：三星電子株式会社
半導体素子のキャパシター製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-166338 Applicant：現代電子産業株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-320720 Applicant：株式会社東芝

Show all

Return to Previous Page