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J-GLOBAL ID：200903097000135061

窒化物半導体発光素子

Inventor：
向井 孝志

About 向井 孝志


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Agent (1)： 豊栖 康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001238146
Publication number (International publication number)：2002134786
Application date： Dec. 06, 1995
Publication date： May. 10, 2002
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 ダブルへテロ構造の窒化物半導体発光素子のVfをさらに低下させることにより発光効率に優れた素子を提供する。【構成】 n型窒化物半導体層4とp型窒化物半導体層6との間に発光する活性層5を有し、p型窒化物半導体層表面に正電極9が形成されてなる窒化物半導体発光素子において、前記p型窒化物半導体層は正電極と接する側から順にアクセプター不純物濃度の高い第一のp型窒化物半導体層71と、第一のp型窒化物半導体層よりもアクセプター不純物濃度の低い第二のp型窒化物半導体層72とを含むことを特徴とする
Claim (excerpt)：
n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層との間に発光する活性層を有し、p型窒化物半導体層表面に正電極が形成されてなる窒化物半導体発光素子において、前記p型窒化物半導体層は正電極と接する側から順にアクセプター不純物濃度の高い第一のp型窒化物半導体層と、第一のp型窒化物半導体層よりもアクセプター不純物濃度の低い第二のp型窒化物半導体層とを含むことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (3)：
H01L 33/00 ,  H01L 29/43 ,  H01S 5/323 610
FI (4)：
H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E ,  H01S 5/323 610 ,  H01L 29/46 G
F-Term (15)：
4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104GG04 ,  4M104HH15 ,  5F041CA40 ,  5F041CA58 ,  5F041CA82 ,  5F041CA85 ,  5F041CA99 ,  5F073CA17 ,  5F073CB22 ,  5F073DA30
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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