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J-GLOBAL ID:200903097255499890

半導体ウエハ加工用保護シート及び半導体ウエハの裏面研削方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4): 鈴木 崇生 ,  梶崎 弘一 ,  尾崎 雄三 ,  谷口 俊彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003346498
Publication number (International publication number):2005116652
Application date: Oct. 06, 2003
Publication date: Apr. 28, 2005
Summary:
【課題】 大型ウエハをバックグラインド工程、裏面処理工程等により薄型化した場合にも、半導体ウエハの反りを小さく抑えることができる半導体ウエハ加工用保護シートを提供すること。【解決手段】 半導体ウエハの裏面を研削する際に、パターン形成された半導体ウエハ表面を保護するために用いる半導体ウエハ加工用保護シートであって、前記保護シートは、基材上の少なくとも片面に粘着剤層が積層されており、基材は一層又は多層からなり、基材の少なくとも一層は、23°Cにおける引張り弾性率が0.6GPa以上であり、半導体ウエハ表面に接触させる粘着剤層に対して反対側にある基材の最外層は、吸水率が0.3%以下であることを特徴とする半導体ウエハ加工用保護シート。【選択図】 図4
Claim (excerpt):
半導体ウエハの裏面を研削する際に、パターン形成された半導体ウエハ表面を保護するために用いる半導体ウエハ加工用保護シートであって、 前記保護シートは、基材上の少なくとも片面に粘着剤層が積層されており、 基材は一層又は多層からなり、基材の少なくとも一層は、23°Cにおける引張り弾性率が0.6GPa以上であり、 半導体ウエハ表面に接触させる粘着剤層に対して反対側にある基材の最外層は、吸水率が0.3%以下であることを特徴とする半導体ウエハ加工用保護シート。
IPC (3):
H01L21/304 ,  C09J7/02 ,  C09J201/00
FI (4):
H01L21/304 631 ,  H01L21/304 622J ,  C09J7/02 Z ,  C09J201/00
F-Term (41):
4J004AA05 ,  4J004AA10 ,  4J004AA12 ,  4J004AA13 ,  4J004AA14 ,  4J004AB01 ,  4J004AB07 ,  4J004CA02 ,  4J004CA03 ,  4J004CA04 ,  4J004CA05 ,  4J004CA06 ,  4J004CB03 ,  4J004CC03 ,  4J004FA04 ,  4J040CA00 ,  4J040DF01 ,  4J040DF02 ,  4J040DF03 ,  4J040DF06 ,  4J040DF08 ,  4J040DF09 ,  4J040DG00 ,  4J040EB13 ,  4J040EC00 ,  4J040EF18 ,  4J040EF28 ,  4J040FA14 ,  4J040FA26 ,  4J040FA27 ,  4J040FA29 ,  4J040HC22 ,  4J040JB08 ,  4J040JB09 ,  4J040KA13 ,  4J040KA16 ,  4J040MA10 ,  4J040MA11 ,  4J040MB03 ,  4J040NA20 ,  4J040NA21
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1) Cited by examiner (6)
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