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J-GLOBAL ID：200903097356420011

マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法及びテンプレートの製造方法

Inventor：
三ッ井 英明

About 三ッ井 英明


Applicant, Patent owner：
HOYA株式会社

About HOYA株式会社


Agent (3)： 阿仁屋 節雄 ,  油井 透 ,  清野 仁
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004164956
Publication number (International publication number)：2005345737
Application date： Jun. 02, 2004
Publication date： Dec. 15, 2005
Summary：
【課題】回路パターンの微細化や高精度化に貢献し得る位相シフトマスクの製造方法を提供する。【解決手段】位相シフトパターン1Pを形成するための石英基板1の上に、極薄膜(窒化クロム膜)2を形成し、その上にレジスト膜3を形成した位相シフトマスクブランク10を素材として用い、レジスト膜3にレジストパターン3Pを形成し、レジストパターンをマスクに極薄膜2をエッチングして極薄膜パターン2Pを形成し、極薄膜パターン2Pをマスクに石英基板1をエッチングして位相シフトパターン1Pを形成し、位相シフトパターン1Pの形成およびレジストパターン3の除去が完了した基板1上に遮光膜4を形成し、遮光膜4をレジスト5を用いて選択エッチングすることにより、必要箇所に遮光部4Aを残しながら位相シフトパターン1Pを露出させて、位相シフトマスク20を得る。極薄膜2の膜厚は、極薄膜パターン2Pをマスクにして石英基板1に位相シフトパターンを形成するために必要最小限の厚さに設定する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
転写用の三次元パターンを形成するための基層の上に、該基層をエッチングする際にマスク機能を発揮する極薄膜を形成し、その上に該極薄膜をエッチングする際にマスク機能を発揮するレジスト膜を形成してなり、前記レジスト膜にレジストパターンを形成する工程、前記レジストパターンをマスクに前記極薄膜をエッチングして極薄膜パターンを形成する工程、前記極薄膜パターンをマスクに前記基層をエッチングして前記三次元パターンを形成する工程を、この順に経ることで位相シフトマスクまたはテンプレートを製造する場合に素材として用いられるマスクブランクであって、 前記極薄膜の膜厚が、前記極薄膜パターンをマスクにして前記基層に三次元パターンを形成するために必要な最小限の厚さに設定されていることを特徴とするマスクブランク。
IPC (3)：
G03F1/14 ,  G03F1/08 ,  H01L21/027
FI (4)：
G03F1/14 A ,  G03F1/08 A ,  H01L21/30 502D ,  H01L21/30 502P
F-Term (7)：
2H095BB03 ,  2H095BB10 ,  2H095BB17 ,  2H095BC05 ,  2H095BC24 ,  2H095BC26 ,  5F046AA28
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 特許第3282207号公報
Cited by examiner (7)
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