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J-GLOBAL ID：200903097601319380

III族窒化物半導体発光素子の製造方法、及びIII族窒化物半導体発光素子、並びにランプ

Inventor：
横山 泰典

About 横山 泰典

, 
三木 久幸

About 三木 久幸


Applicant, Patent owner：
昭和電工株式会社

About 昭和電工株式会社


Agent (6)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007214539
Publication number (International publication number)：2008177525
Application date： Aug. 21, 2007
Publication date： Jul. 31, 2008
Summary：
【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えた素子が得られる、III族窒化物半導体発光素子の製造方法、及びIII族窒化物半導体発光素子、並びにランプを提供する。【解決手段】基板11上に、金属材料とV族元素を含んだガスとをプラズマで活性化して反応させることによってIII族窒化物化合物からなる中間層12を成膜し、該中間層12上に、III族窒化物半導体からなるn型半導体層14、発光層15、及びp型半導体層16を順次積層する製造方法とし、前記V族元素を窒素とし、中間層12を成膜する際の、前記ガス中における窒素のガス分率を20%超99%以下の範囲とするとともに、中間層12を単結晶組織として形成する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板上に、V族元素を含むガスと金属材料とをプラズマで活性化して反応させることによってIII族窒化物化合物からなる中間層を成膜し、該中間層上に、III族窒化物半導体からなるn型半導体層、発光層、及びp型半導体層を順次積層するIII族窒化物半導体発光素子の製造方法であって、 前記V族元素を窒素とし、前記中間層を成膜する際の、前記ガス中における窒素のガス分率を20%超99%以下の範囲とするとともに、前記中間層を単結晶組織として形成することを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/203 ,  H01L 33/00 ,  C30B 25/02 ,  C30B 29/38
FI (4)：
H01L21/203 S ,  H01L33/00 C ,  C30B25/02 P ,  C30B29/38 D
F-Term (38)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077DB18 ,  4G077EF03 ,  4G077FJ06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB05 ,  4G077TB07 ,  4G077TC14 ,  4G077TC19 ,  4G077TK08 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA22 ,  5F041CA24 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA77 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD01 ,  5F103GG01 ,  5F103HH04 ,  5F103LL02 ,  5F103NN01 ,  5F103NN02 ,  5F103NN06 ,  5F103PP15 ,  5F103RR06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
  • 特許第3026087号公報
  • 特開平4-297023号公報
  • 特許第3440873号公報
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Cited by examiner (6)
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