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J-GLOBAL ID:200903098071195517

エバネッセント波を利用したセンサー

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 柳田 征史 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002362306
Publication number (International publication number):2003254906
Application date: Dec. 13, 2002
Publication date: Sep. 10, 2003
Summary:
【要約】【課題】 ウェル形状の測定チップを備えたエバネッセント波を利用したセンサーで、通常の測定に加え試料を連続的に供給して行う測定も可能とする。【解決手段】 測定チップ9と、光ビーム13を発生させる光源14と、光ビーム13を誘電体ブロック10と金属膜12との界面10bに対して種々の入射角が得られるように測定流路55に入射させる光学系15と、界面10bで全反射し平行光化された光ビーム13を検出するフォトダイオードアレイ17とを備えたエバネッセント波を利用したセンサーにおいて、被検体を含む液体試料11を、ポンプ56により供給路51から測定流路55に連続的に供給する。金属膜12上に予め固定されているセンシング物質30と液体試料11中の被検体が結合する場合には、センシング物質30の屈折率が変化し、暗線Dの角度(全反射減衰角)が変化する。液体試料11中の被検体濃度が一定であるため、結合状態を精度良く測定できる。
Claim (excerpt):
光ビームを発生させる光源と、前記光ビームに対して透明な誘電体ブロック、この誘電体ブロックの一面に形成される薄膜層、この薄膜層の表面上に試料を保持可能に形成された試料保持機構を備えてなるウェル形状の測定チップと、前記光ビームを前記誘電体ブロックに対して、該誘電体ブロックと前記薄膜層との界面で全反射条件が得られる角度で入射させる光学系と、前記界面で全反射した光ビームの強度を検出する光検出手段と、該光検出手段の検出結果に基づいて、全反射減衰の状態を測定する測定手段とを備えてなるエバネッセント波を利用したセンサーにおいて、前記測定チップに着脱可能に形成され、前記薄膜層の表面上に前記試料を連続的に供給するとともに、この供給された試料を連続的に排出する試料給排手段をさらに備えたことを特徴とするエバネッセント波を利用したセンサー。
IPC (3):
G01N 21/27 ,  G01N 21/05 ,  G01N 21/45
FI (3):
G01N 21/27 C ,  G01N 21/05 ,  G01N 21/45 A
F-Term (31):
2G057AA02 ,  2G057AB04 ,  2G057AB07 ,  2G057AC01 ,  2G057BA05 ,  2G057BB01 ,  2G057BB06 ,  2G057GA06 ,  2G059AA01 ,  2G059BB04 ,  2G059BB12 ,  2G059CC16 ,  2G059EE02 ,  2G059EE05 ,  2G059EE09 ,  2G059EE10 ,  2G059FF09 ,  2G059GG01 ,  2G059GG04 ,  2G059JJ11 ,  2G059JJ13 ,  2G059JJ19 ,  2G059JJ20 ,  2G059JJ22 ,  2G059KK04 ,  2G059MM01 ,  2G059MM03 ,  2G059MM09 ,  2G059MM10 ,  2G059MM11 ,  2G059PP04
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
  • 表面プラズモン共鳴を利用した測定装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-286189   Applicant:オリンパス光学工業株式会社, 理化学研究所
  • 測定チップ
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2001-092666   Applicant:富士写真フイルム株式会社
Cited by examiner (16)
  • 表面プラズモンセンサー
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平9-264087   Applicant:富士写真フイルム株式会社
  • 特開平2-017431
  • センサ装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平10-098304   Applicant:東陶機器株式会社
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Article cited by the Patent:
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