ポジ型シリコン含有感光性組成物

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小栗昌平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000150173
Publication number (International publication number)：2001330957
Application date： May. 22, 2000
Publication date： Nov. 30, 2001
Summary：

【要約】【課題】半導体デバイスの製造において、ArFやKrFを光源とする遠紫外線領域の露光に対応し得、高い解像力を有し、更に、特に0.18μm以下の微細パターンにおける疎密依存性、および露光マージンに優れたレジストパターンを与えるポジ型シリコン含有感光性組成物を提供すること。【解決手段】 (a)酸により分解しうる基を有し、かつアルカリ現像液中での溶解度が酸の作用により増大する性質のあるポリシロキサン又はポリシルセスキオキサン、(b)活性光線もしくは放射線の照射によりカルボン酸を発生する化合物、(d)溶媒とを含有することを特徴とするポジ型シリコン含有感光性組成物。

Claim (excerpt)：

(a)酸により分解しうる基を有し、かつアルカリ現像液中での溶解度が酸の作用により増大する性質のあるポリシロキサン又はポリシルセスキオキサン、(b)活性光線もしくは放射線の照射によりカルボン酸を発生する化合物(d)溶媒とを含有することを特徴とするポジ型シリコン含有感光性組成物。

IPC (9)：

G03F 7/039 601 , C08K 5/03 , C08K 5/36 , C08K 5/41 , C08L 83/06 , C08L 83/08 , G03F 7/004 501 , G03F 7/075 511 , H01L 21/027

FI (9)：

G03F 7/039 601 , C08K 5/03 , C08K 5/36 , C08K 5/41 , C08L 83/06 , C08L 83/08 , G03F 7/004 501 , G03F 7/075 511 , H01L 21/30 502 R

F-Term (23)：

2H025AA00 , 2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025CC03 , 2H025CC20 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 4J002CP051 , 4J002EB116 , 4J002EB117 , 4J002EV217 , 4J002EV296 , 4J002EV297 , 4J002EV307 , 4J002GP03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

有機けい素重合体およびこれを用いる半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-212111 Applicant：富士通株式会社
感放射線性樹脂組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-229160 Applicant：ジェイエスアール株式会社
酸感応ポリマおよびホトレジスト構造の作成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-210073 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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