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J-GLOBAL ID:200903099002514917

近接場光発生素子及びこれを具備してなる光学装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 江上 達夫 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001236110
Publication number (International publication number):2003042930
Application date: Aug. 03, 2001
Publication date: Feb. 13, 2003
Summary:
【要約】【課題】 近接場光の存在する領域を狭くしつつ近接場光の強度を増加させる。【解決手段】 近接場光発生素子(10)は、光源から出射される光の光路に配置されると共に該光の波長以下の径を有する微小開口(20)を規定する遮光部材(12)と、前記微小開口に密着配置された誘電体膜(13)とを備える。或いは、近接場光発生素子(10’)は、光源から出射される光の光路に配置されると共に該光の波長以下の径を有する微小開口(20’)を規定する遮光部材(12’)を備えており、前記遮光部材は、前記微小開口の基本形状を規定する主部と、該主部から前記微小開口の中央に向かって突出している突起部(31)とを有する。
Claim (excerpt):
光源から出射される光の光路に配置されると共に該光の波長以下の径を有する微小開口を規定する遮光部材と、前記微小開口に密着配置された誘電体膜とを備えたことを特徴とする近接場光発生素子。
IPC (3):
G01N 13/14 ,  G11B 7/135 ,  G12B 21/06
FI (3):
G01N 13/14 B ,  G11B 7/135 A ,  G12B 1/00 601 C
F-Term (7):
5D119AA11 ,  5D119AA22 ,  5D119AA43 ,  5D119BA01 ,  5D119EB02 ,  5D119JA34 ,  5D119JA35
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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