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J-GLOBAL ID:200903099002514917
近接場光発生素子及びこれを具備してなる光学装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
江上 達夫 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001236110
Publication number (International publication number):2003042930
Application date: Aug. 03, 2001
Publication date: Feb. 13, 2003
Summary:
【要約】【課題】 近接場光の存在する領域を狭くしつつ近接場光の強度を増加させる。【解決手段】 近接場光発生素子(10)は、光源から出射される光の光路に配置されると共に該光の波長以下の径を有する微小開口(20)を規定する遮光部材(12)と、前記微小開口に密着配置された誘電体膜(13)とを備える。或いは、近接場光発生素子(10’)は、光源から出射される光の光路に配置されると共に該光の波長以下の径を有する微小開口(20’)を規定する遮光部材(12’)を備えており、前記遮光部材は、前記微小開口の基本形状を規定する主部と、該主部から前記微小開口の中央に向かって突出している突起部(31)とを有する。
Claim (excerpt):
光源から出射される光の光路に配置されると共に該光の波長以下の径を有する微小開口を規定する遮光部材と、前記微小開口に密着配置された誘電体膜とを備えたことを特徴とする近接場光発生素子。
IPC (3):
G01N 13/14
, G11B 7/135
, G12B 21/06
FI (3):
G01N 13/14 B
, G11B 7/135 A
, G12B 1/00 601 C
F-Term (7):
5D119AA11
, 5D119AA22
, 5D119AA43
, 5D119BA01
, 5D119EB02
, 5D119JA34
, 5D119JA35
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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微小開口形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-189131
Applicant:ミノルタ株式会社
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微細光記録装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-004950
Applicant:株式会社日立製作所
-
近接場光照射ヘッドおよび情報記録再生装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-373522
Applicant:株式会社東芝
-
半導体レーザ及びその製造方法並びにこれを用いた近接場光ヘッド
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-328771
Applicant:ティーディーケイ株式会社
-
近接場光プローブおよびその作製方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-238863
Applicant:株式会社日立製作所
-
近接場光を用いた光学装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-217545
Applicant:株式会社日立製作所
-
光ファイバープローブ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-313921
Applicant:財団法人神奈川科学技術アカデミー
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Article cited by the Patent:
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