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J-GLOBAL ID:200903099064709056

半導体装置およびその製造方法および半導体装置の実装方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998095639
Publication number (International publication number):1999297750
Application date: Apr. 08, 1998
Publication date: Oct. 29, 1999
Summary:
【要約】【課題】 フリップチップ実装の半導体装置において、樹脂封止後、半導体素子の故障が発見された場合、封止樹脂と回路基板との密着が強固なため、リペアができないという課題があった。【解決手段】 半導体素子8上の半導体素子電極9上に金属層10が設けられ、その金属層10上にバンプ11が形成され半導体素子電極9領域以外の領域には熱可塑性樹脂層12が形成された半導体装置であり、この構成により実装時のリフローする際、熱可塑性樹脂12が溶融後、硬化することで半導体装置と回路基板との接着を強固とし、バンプ11に発生する応力を緩和することができるものである。
Claim (excerpt):
半導体素子と、前記半導体素子の電極上に形成された金属層と、前記金属層以外の半導体素子表面の領域に形成された熱可塑性樹脂層とよりなることを特徴とする半導体装置。
IPC (5):
H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (5):
H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 602 L ,  H01L 23/12 L ,  H01L 23/30 R
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (11)
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