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J-GLOBAL ID:200903099064709056
半導体装置およびその製造方法および半導体装置の実装方法
Inventor:
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,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
滝本 智之 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998095639
Publication number (International publication number):1999297750
Application date: Apr. 08, 1998
Publication date: Oct. 29, 1999
Summary:
【要約】【課題】 フリップチップ実装の半導体装置において、樹脂封止後、半導体素子の故障が発見された場合、封止樹脂と回路基板との密着が強固なため、リペアができないという課題があった。【解決手段】 半導体素子8上の半導体素子電極9上に金属層10が設けられ、その金属層10上にバンプ11が形成され半導体素子電極9領域以外の領域には熱可塑性樹脂層12が形成された半導体装置であり、この構成により実装時のリフローする際、熱可塑性樹脂12が溶融後、硬化することで半導体装置と回路基板との接着を強固とし、バンプ11に発生する応力を緩和することができるものである。
Claim (excerpt):
半導体素子と、前記半導体素子の電極上に形成された金属層と、前記金属層以外の半導体素子表面の領域に形成された熱可塑性樹脂層とよりなることを特徴とする半導体装置。
IPC (5):
H01L 21/60 311
, H01L 21/60
, H01L 23/12
, H01L 23/29
, H01L 23/31
FI (5):
H01L 21/60 311 Q
, H01L 21/60 311 S
, H01L 21/92 602 L
, H01L 23/12 L
, H01L 23/30 R
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (11)
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半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-127152
Applicant:三菱電機株式会社
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導電性接着剤による直接チップ付着
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-324501
Applicant:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
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半導体装置とその製造方法及びこの半導体装置を用いた実装構造体とその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-041425
Applicant:株式会社東芝
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特開平1-173733
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チップキャリアとその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-035359
Applicant:松下電器産業株式会社
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半導体装置の製造方法及び半導体装置製造用金型及び半導体装置及びその実装方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-010683
Applicant:富士通株式会社, 富士通オートメーション株式会社
-
樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-215239
Applicant:ソニー株式会社
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突起電極の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-272256
Applicant:富士通株式会社
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特開昭61-198738
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特開昭64-054749
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半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-079072
Applicant:松下電子工業株式会社
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