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J-GLOBAL ID：200903099135987222

含フッ素重合性単量体、含フッ素高分子化合物、これを用いたレジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： 角田 真一 ,  小森谷 治彦 ,  古賀 直 ,  古俣 武夫
Applicant, Patent owner： セントラル硝子株式会社
Agent (1)： 西 義之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004023157
Publication number (International publication number)：2005213215
Application date： Jan. 30, 2004
Publication date： Aug. 11, 2005
Summary：

【課題】 本発明は、新規な含フッ素重合性単量体である含フッ素アクリレート化合物、これを用いた高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法を提供することにある。【解決手段】 一般式(1)で表される含フッ素アクリレート化合物(式中、R1は、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基のいずれか1つの官能基で、R2は、水素原子、炭素数1〜25の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基であって、その一部にフッ素原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、カルボニル結合を含んでもよい。R3〜R14は、水素原子、炭素数1〜25の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基であって、その一部にフッ素原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ヒドロキシル基を含んでもよい。R3とR5、R7とR9、又は、R11〜R14のうちの2つの基は結合して炭素数1〜25のアルキレン基として環を形成してもよく、その一部に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を含んでもよい。lは0又は1で、m、nは0〜4の任意の整数を表す。)。【化1】【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

一般式(1)で表される含フッ素アクリレート化合物(式中、R1は、水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基のいずれか1つの官能基で、R2は、水素原子、炭素数1〜25の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基であって、その一部にフッ素原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、カルボニル結合を含んでもよい。R3〜R14は、水素原子、炭素数1〜25の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基であって、その一部にフッ素原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ヒドロキシル基を含んでもよい。R3とR5、R7とR9、又は、R11〜R14のうちの2つの基は結合して炭素数1〜25のアルキレン基として環を形成してもよく、その一部に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を含んでもよい。lは0又は1で、m、nは0〜4の任意の整数を表す。)。

IPC (4)：

C07C69/653 ,  C08F20/28 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

FI (4)：

C07C69/653 ,  C08F20/28 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R

F-Term (36)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025FA12 ,  4H006AA01 ,  4H006AB46 ,  4H006BJ20 ,  4H006BM10 ,  4H006BM71 ,  4H006BN10 ,  4H006KA06 ,  4J100AL04Q ,  4J100AL04R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AR11R ,  4J100BA03P ,  4J100BA03R ,  4J100BB18P ,  4J100BB18R ,  4J100BC04P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC12P ,  4J100BC12R ,  4J100BC53R

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-050264   Applicant：富士通株式会社
• デバイス製造のためのパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-049956   Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
• レジスト組成物およびその利用
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-063775   Applicant：日本ゼオン株式会社
• 国際公開第97/33198号公報
  

Cited by examiner (5)

• レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-050264   Applicant：富士通株式会社
• 新規なアダマンタンカルボン酸エステル及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-184203   Applicant：出光石油化学株式会社
• 含フッ素化合物、含フッ素重合性単量体、含フッ素高分子化合物、溶解抑制剤、それらを用いたレジスト材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-004262   Applicant：セントラル硝子株式会社
• ポジ型レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-228787   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• ポジ型レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-227580   Applicant：富士写真フイルム株式会社