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J-GLOBAL ID：200903099337776797

金属酸化物ナノ粒子に基づく不揮発性抵抗メモリセル、その製造方法、およびそのメモリセル配置

Inventor：
ウフェルト、クラウス-ディーター

About ウフェルト、クラウス-ディーター


Applicant, Patent owner：
キマンダ アーゲー

About キマンダ アーゲー


Agent (2)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006203266
Publication number (International publication number)：2007036256
Application date： Jul. 26, 2006
Publication date： Feb. 08, 2007
Summary：
【課題】金属酸化物ナノ粒子に基づく不揮発性抵抗メモリセル、その製造方法、およびそのメモリセル配置を提供する。【解決手段】第1の導電性電極領域と、第2の導電性電極領域と、それらの間に配置されるメモリ領域とを含む不揮発性メモリが開示されている。メモリ領域は一つ以上の金属酸化物ナノ粒子を含み、該金属酸化物ナノ粒子は、接触位置を介して第1および第2の電極領域に接触して電気的に接続し、外部電圧が加えられた場合に双安定抵抗特性を発揮する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
第1の導電性電極領域と、 第2の導電性電極領域と、 それらの間に配置されるメモリ領域とを備える不揮発性メモリセルであって、前記メモリ領域が一つ以上の金属酸化物ナノ粒子を備え、該金属酸化物ナノ粒子が、接触位置を介して第1および第2の電極領域に接触して電気的に接続するとともに外部電圧が加えられた場合に双安定抵抗特性を発揮する不揮発性メモリセル。
IPC (1)：
H01L 27/10
FI (1)：
H01L27/10 451
F-Term (8)：
5F083FZ10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083PR23
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 独国特許出願公開第10245554号明細書
  • 独国特許出願公開第19744837号明細書
Cited by examiner (7)
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