RRAM用途のスピンコーティングされたPr1-xCaxMnO3薄膜の高温アニーリング

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：山本秀策 , 安村高明 , 大塩竹志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004229953
Publication number (International publication number)：2005064502
Application date： Aug. 05, 2004
Publication date： Mar. 10, 2005
Summary：

【課題】 RRAM用途で用いるバイポーラ電気パルススイッチング特性を有するPCMO薄膜を形成すること。【解決手段】本発明によるRRAMデバイスにPCMO薄膜を形成する方法は、基板上の金属バリア層上に下部電極を形成することと、PCMO前駆体を用いて、下部電極上にPr1-xCaxMnO3層をスピンコーティングすることと、1つ以上のベーキング工程において該PCMO薄膜をベークすることと、各スピンコーティング工程の後に、PCMO薄膜を第1のアニーリング工程においてアニーリングすることと、PCMO薄膜が所望の厚さを有するようになるまで、スピンコーティング工程、ベーキング工程、および第1のアニーリング工程を繰り返し行うことと、第2のアニーリング工程において該PCMO薄膜をアニーリングし、それにより、0.2≦X≦0.5であるPr1-xCaxMnO3の結晶構造を有するPCMO薄膜を生成することとを包含する。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

RRAMデバイスにPCMO薄膜を形成する方法であって、基板を準備することと、該基板上に金属バリア層を堆積させることと、該金属バリア層上に下部電極を形成することと、酢酸溶媒中で、Pr(CH3CO2)3・H2O、Ca(CH3CO2)2・H2O、およびMn(III)(CH3CO2)3・2H2OからなるPCMO前駆体を用いて、該下部電極上にPr1-xCaxMnO3(PCMO)層をスピンコーティングすることと、約50°C〜300°Cの温度で約10秒〜1時間、ベークすることを含む少なくとも1つのベーキング工程において、該PCMO薄膜をベークすることと、各スピンコーティング工程の後に、約400°C〜900°Cの温度での約10秒〜1時間の第1のアニーリング工程において該PCMO薄膜をアニーリングすることと、該PCMO薄膜が所望の厚さを有するようになるまで、該スピンコーティング工程、該少なくとも1つのベーキング工程、および該第1のアニーリング工程を繰り返し行うことと、約450°C〜1000°Cの温度での約1分〜24時間の第2のアニーリング工程において該PCMO薄膜をアニーリングし、それにより、0.2≦X≦0.5であるPr1-xCaxMnO3の結晶構造を有するPCMO薄膜を生成することと、上部電極を堆積させることと、該上部電極をパターニングすることと、該RRAMデバイスを完成させることとを包含する、方法。

IPC (3)：

H01L27/10 , H01L21/28 , H01L45/00

FI (3)：

H01L27/10 451 , H01L21/28 301R , H01L45/00 A

F-Term (28)：

4M104AA01 , 4M104AA08 , 4M104AA10 , 4M104BB04 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB29 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB36 , 4M104DD79 , 4M104FF13 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104GG16 , 5F083FZ10 , 5F083GA27 , 5F083JA21 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA42 , 5F083PR23 , 5F083PR33 , 5F083PR34

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

米国特許第10/256,380号明細書

Cited by examiner (7)

電気的にプログラム可能な抵抗特性を有するクロスポイントメモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-152439 Applicant：シャープ株式会社
キャパシタ電極構造及び半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-301211 Applicant：野村眞三, 谷奥正巳
セラミック層の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-278466 Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト

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