半導体ウエハの製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：篠部正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004197773
Publication number (International publication number)：2006019610
Application date： Jul. 05, 2004
Publication date： Jan. 19, 2006
Summary：

【課題】半導体基板に形成されたトレンチの内部に空洞を残すことなく、トレンチ内を結晶品質の高いエピタキシャル膜で埋めることができる半導体ウエハの製造方法を提供する。【解決手段】第1導電型の半導体基板1にトレンチ4を形成する。トレンチ4の内壁を希フッ酸又はバッファードフッ酸によって洗浄し、次に純水洗浄、乾燥させる。この基板1をガス炉内に入れ、ガス炉内に水素のエッチングガスおよびHCl又はCl2のキャリアガスを供給して、トレンチ4内の露出面を数nm〜1μm程度エッチングし、トレンチ4内の露出面を清浄表面とする。また、このエッチングにより、トレンチ4を上に向かって開き気味の形状とする。このエッチング工程に連続して、水素雰囲気でのアニールを行い続いて炉内に、成長ガス、エッチングガス、ドーピングガスおよびキャリアガスを供給して、トレンチ4内に第2導電型の半導体6をエピタキシャル成長させ、トレンチ4を埋める。トレンチ4を上に向かって開き気味の形状とする代わりに、トレンチ4の側面を、ファセットを形成する面としてもよい。【選択図】図6

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板の表面層に所望のパターンのトレンチを形成する工程と、該トレンチ内を洗浄し、乾燥させる工程と、ガス炉内で、該ガス炉内にエッチングガスを供給することにより、前記トレンチ内の露出面をエッチングする工程と、前記エッチングが終了した後に、非酸化性及び非窒化性の雰囲気で熱処理し、続いて前記トレンチ内に第2導電型の半導体をエピタキシャル成長させて、前記トレンチを埋める工程と、を含むことを特徴とする半導体ウエハの製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/20 , H01L 21/302 , H01L 29/06 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (6)：

H01L21/20 , H01L21/302 201A , H01L29/06 301D , H01L29/78 652H , H01L29/78 658E , H01L29/78 658G

F-Term (14)：

5F004AA14 , 5F004BA19 , 5F004BD04 , 5F004CA02 , 5F004CA04 , 5F004DA29 , 5F004DB01 , 5F004EA10 , 5F004EB04 , 5F004FA08 , 5F052JA01 , 5F052JA05 , 5F052JA07 , 5F052KA05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

欧州特許出願公開第0053854号明細書
米国特許第5216275号明細書
米国特許第5438215号明細書

Show all

Cited by examiner (9)

半導体基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-012172 Applicant：株式会社デンソー
半導体装置および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-307657 Applicant：株式会社デンソー
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-007336 Applicant：三洋電機株式会社

Show all

Return to Previous Page