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J-GLOBAL ID:200903099467320043

表面修飾された炭素ナノチューブを用いたパターン形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (6): 八田 幹雄 ,  野上 敦 ,  奈良 泰男 ,  齋藤 悦子 ,  宇谷 勝幸 ,  藤井 敏史
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003375753
Publication number (International publication number):2004167677
Application date: Nov. 05, 2003
Publication date: Jun. 17, 2004
Summary:
【課題】 二重結合を有する作用基を炭素ナノチューブの表面に化学的な方法で導入し、このように表面修飾された炭素ナノチューブの光硬化によってパターン薄膜を形成する方法を提供する。【解決手段】 炭素ナノチューブの表面に、ラジカル重合への参加が可能な二重結合を有する作用基を導入し、前記炭素ナノチューブを光開始剤と共に有機溶媒に分散させて基材上にコーティングし、その後フォトマスクに介してUVに露光させて露光部で炭素ナノチューブのラジカル重合を誘発した後、非露光部を現像液で取り除くことにより、炭素ナノチューブのネガティブパターンを形成する。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
(a)二重結合含有作用基が表面に導入された炭素ナノチューブを提供する段階と、 (b)前記炭素ナノチューブを光開始剤とともに有機溶媒に分散させてコーティング液を製造する段階と、 (c)前記コーティング液を基材の表面に塗布し、予備乾燥によって溶媒を揮発させてフィルムを形成する段階と、 (d)前記乾燥したフィルムを、所望のパターンが形成されたフォトマスクを介してUVに露光させ、露光部で炭素ナノチューブの光重合反応を誘発する段階と、 (e)前記露光したフィルムを有機現像液で現像して前記フィルムの非露光部を取り除いて炭素ナノチューブのネガティブパターンを得る段階と を含む炭素ナノチューブパターンの形成方法。
IPC (4):
B82B3/00 ,  C08F2/50 ,  G03F7/029 ,  G03F7/038
FI (4):
B82B3/00 ,  C08F2/50 ,  G03F7/029 ,  G03F7/038 501
F-Term (25):
2H025AA00 ,  2H025AB14 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AB20 ,  2H025AC01 ,  2H025AD01 ,  2H025BC13 ,  2H025BC37 ,  2H025BC51 ,  2H025BC81 ,  2H025BC83 ,  2H025BC88 ,  2H025BD21 ,  2H025CA01 ,  2H025CA27 ,  2H025DA18 ,  2H025FA15 ,  4J011QA03 ,  4J011QA48 ,  4J011SA61 ,  4J011SA63 ,  4J011UA01 ,  4J011VA01 ,  4J011WA01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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