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J-GLOBAL ID：200903099659988986

回路パターン形成方法及び該形成方法を用いて回路パターンが形成された回路板

Inventor：
佐藤 正博

About 佐藤 正博

, 
池川 直人

About 池川 直人


Applicant, Patent owner：
松下電工株式会社

About 松下電工株式会社


Agent (1)： 板谷 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003181667
Publication number (International publication number)：2005019645
Application date： Jun. 25, 2003
Publication date： Jan. 20, 2005
Summary：
【課題】窒化アルミニウムを基板材として用いた回路パターン形成方法及び該形成方法を用いて回路パターンが形成された回路板において、高エネルギビームの照射による加工部分に信頼の高い絶縁性を実現する。【解決手段】回路パターン形成工程は、窒化アルミニウム基板の準備工程(S1)、その基板を加熱・酸化処理して表面に酸化層を形成する工程(S2)、酸化層の上に導電性薄膜を形成する工程(S3)、高エネルギビームを照射して回路部/非回路部の境界部分の導電性薄膜を除去して回路パターンを形成する工程(S4)を有する。導電性薄膜を除去する加工部分において、高エネルギビームが酸化層を通過しなければ、基板材の窒化アルミニウムまで到達しないので、高エネルギビームによる窒化アルミニウムの分解と導電性物質(アルミニウム)の発生を酸化層で防止できる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
窒化アルミニウム基板の表面に導電性薄膜を形成し、その導電性薄膜における回路部と非回路部の少なくとも境界を含む領域に高エネルギビームを照射して導電性薄膜を除去して回路パターンを形成する回路パターン形成方法において、 前記導電性薄膜を形成する工程の前に、窒化アルミニウム基板の表面を酸化処理して酸化層を形成する工程をさらに備えたことを特徴とする回路パターンの形成方法。
IPC (1)：
H05K3/08
FI (1)：
H05K3/08 D
F-Term (7)：
5E339AB06 ,  5E339BC01 ,  5E339BC02 ,  5E339BC03 ,  5E339BE05 ,  5E339DD03 ,  5E339EE10
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (8)
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