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J-GLOBAL ID：201002216788645746   Reference number：10A0490920

Scaling Analysis of Nanoelectromechanical Memory Devices

ナノエレクトロメカニカルメモリーデバイスのスケール分析

Author (10)： NAGAMI Tasuku (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  TSUCHIYA Yoshishige (Univ. Southampton, Southampton, GBR) ,  TSUCHIYA Yoshishige (JST-SORST, Saitama, JPN) ,  UCHIDA Ken (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  UCHIDA Ken (JST-SORST, Saitama, JPN) ,  MIZUTA Hiroshi (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  MIZUTA Hiroshi (Univ. Southampton, Southampton, GBR) ,  MIZUTA Hiroshi (JST-SORST, Saitama, JPN) ,  ODA Shunri (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  ODA Shunri (JST-SORST, Saitama, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 49  Issue： 4,Issue 1  Page： 044304.1-044304.5  Publication year： Apr. 25, 2010 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MEMS ,  *nanometer process ,  *quantum dot ,  nano crystal ,  finite element method ,  numerical analysis ,  Computer Simulation ,  memory (computer) ,  *nonvolatile memory ,  fine patterning ,  NEMS ,  Finite Element Analysis ,  computer application ,  utilization
Semi thesaurus term： Nano Electro Mechanical System ,  FEM analysis ,  ultra-microfabrication

JST classification (2)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (25)：

• A. N. Cleland and M. L. Roukes: Appl. Phys. Lett.69(1996)2653.
• J. B. Sampsell: J. Vac. Sci. Technol. B 12(1994)3242.
• H. Fujii, S. Kanemaru, T. Matsukawa, and J. Itoh: Appl. Phys. Lett.75(1999)3986.
• A. Tilke, L. Pescini, A. Erbe, H. Lorenz, and R. H. Blick: Nanotechnology 13(2002)491.
• R. H. Blick, A. Erbe, L. Pescini, A. Kraus, D. V. Scheible, F. W. Bell, E. Hoehberger, A. Hoerner, J. Kirschbaum, H. Lorenz, and J. P. Kotthaus: J. Phys.: Condens. Matter 14(2002) R905.

Terms in the title (2)： スケール ,  分析