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J-GLOBAL ID：201002256556974532   Reference number：10A0700734

Reactive Ion Etching of Si Using Ar/F₂ Plasma

Ar/F₂プラズマを用いたSiの反応性イオンエッチング

Author (3)： MATSUTANI Akihiro (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  OHTSUKI Hideo (Samco Inc., Kyoto, JPN) ,  KOYAMA Fumio (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 49  Issue： 6,Issue 2  Page： 06GH05.1-06GH05.3  Publication year： Jun. 25, 2010 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： plasma ,  Argon ,  fluorine ,  *machining speed ,  prevention ,  global environment ,  environmental conservation ,  *RIE ,  *silicon ,  optical element ,  prevention from global warming
Semi thesaurus term： *etch rate

JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (13)：

• S. Tachi, K. Tsujimoto, S. Arai, and T. Kure: J. Vac. Sci. Technol. A 9(1991)796.
• S. Tachi, K. Tsujimoto, and S. Okudaira: Appl. Phys. Lett.52(1988)616.
• T. D. Bestwick, G. S. Oehrlein, and D. Angell: Appl. Phys. Lett.57(1990)431.
• M. J. M. Vugts, L. J. F. Hermans, and H. C. W. Beijerinck: J. Vac. Sci. Technol. A 14(1996)2820.
• B. Bahreyni and C. Shafai: Proc.2002 IEEE Canadian Conf. Electrical and Computer Engineering, 2002, p. 460.

Terms in the title (4)： Ar ,  プラズマ ,  Si ,  反応性イオンエッチング