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J-GLOBAL ID：200903087745827997

窒化物半導体発光ダイオード用エピタキシャルウエハの製造方法、窒化物半導体発光ダイオード用エピタキシャルウエハ、及び窒化物半導体発光ダイオード

Inventor：
藤倉 序章

About 藤倉 序章


Applicant, Patent owner：
日立電線株式会社

About 日立電線株式会社


Agent (1)： 平田 忠雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005162629
Publication number (International publication number)：2006339427
Application date： Jun. 02, 2005
Publication date： Dec. 14, 2006
Summary：
【課題】長時間のウエットエッチングやレジストパターンを用いる方法のように製造工程及び製造コストの増加をもたらすことがなく、光取出し効率の高い適度に荒れた表面を有する窒化物半導体発光ダイオード用エピタキシャルウエハの製造方法を提供する。【解決手段】複数の窒化物半導体層の少なくとも1層をエピタキシャル成長させる際に、V族原料とIII族原料の供給量のモル比を1000以下として、最上部に形成された窒化物半導体層の表面に段差が50nm以上の凹凸面を形成する。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
基板上に複数の窒化物半導体層をエピタキシャル成長により積層させる窒化物半導体発光ダイオード用エピタキシャルウエハの製造方法において、 前記複数の窒化物半導体層の少なくとも1層をエピタキシャル成長させる際に、成長条件を制御して成長面に凹凸を形成することにより、最上部に形成された窒化物半導体層の表面に段差が50nm以上の凹凸面を形成し、且つ、前記凹凸面における平坦部の割合が面積比率で20%以上であることを特徴とする窒化物半導体発光ダイオード用エピタキシャルウエハの製造方法。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205
FI (2)：
H01L33/00 C ,  H01L21/205
F-Term (17)：
5F041AA03 ,  5F041CA12 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041DA04 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045DA51
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (8)
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