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J-GLOBAL ID：201003019271810163

横方向のスピン移動を用いた低ノイズ磁気センサ

Inventor：
デイニー ベルナール

About デイニー ベルナール


Applicant, Patent owner：
コミサリア ア レネルジィ アトミーク エ オ ゼネ ルジイ アルテアナティーフ

About コミサリア ア レネルジィ アトミーク エ オ ゼネ ルジイ アルテアナティーフ

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サントル ナショナル ドゥ ラ ルシェルシュ シアンティフィク

About サントル ナショナル ドゥ ラ ルシェルシュ シアンティフィク


Agent (1)： 特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2010515479
Publication number (International publication number)：2010533367
Application date： Jul. 04, 2008
Publication date： Oct. 21, 2010
Summary：
本発明は、ピン層である第1の磁化が固定された磁気層(410)と、外部磁場がない場合、前記ピン層の磁化に対して実質的に垂直な磁化を有し、磁気脱共役のために第1の分離層(420)によって前記ピン層から分離されている高感度層であるフリー磁化磁気層(430)とを備える磁気抵抗センサに関する。前記センサは、横方向のスピン移動を制御する役割を果たし、前記分離層の反対側で前記高感度層の横に位置する横結合層(440)を更に備える。【選択図】 図4
Claim (excerpt)：
ピン層である第1の磁化が固定された磁気層(410)と、 外部磁場がない場合、前記ピン層の磁化に対して実質的に垂直な磁化を有し、磁気脱共役のために第1の分離層(420)によって前記ピン層から分離されている高感度層であるフリー磁化磁気層(430)と、 を備える磁気抵抗センサであって、 スピン保持した電子を前記高感度層へ後方散乱させるのに適し、前記ピン層に向かって連続的な直流を流す手段となり、前記分離層の反対側で前記高感度層の横に位置する横結合層(440)とを更に備える磁気抵抗センサ。
IPC (5)：
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  G11B 5/187 ,  H01L 43/10
FI (5)：
H01L43/08 Z ,  G01R33/06 R ,  G11B5/39 ,  G11B5/187 B ,  H01L43/10
F-Term (45)：
2G017AA01 ,  2G017AA10 ,  2G017AB07 ,  2G017AD55 ,  2G017BA05 ,  5D034AA05 ,  5D034BA03 ,  5D034BB20 ,  5D034CA06 ,  5D111AA08 ,  5D111AA12 ,  5D111AA19 ,  5D111AA24 ,  5D111BB16 ,  5D111FF02 ,  5D111FF04 ,  5D111FF07 ,  5D111FF08 ,  5D111FF15 ,  5F092AA01 ,  5F092AA05 ,  5F092AA12 ,  5F092AB01 ,  5F092AB02 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD12 ,  5F092BB09 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB31 ,  5F092BB34 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB51 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC13 ,  5F092BE06 ,  5F092BE13 ,  5F092BE24 ,  5F092BE27
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
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Cited by examiner (9)
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