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J-GLOBAL ID：201003044501734750

トレンチゲート構造を有する半導体デバイスおよびその製造方法

Inventor：
フランツ ハーラー

About フランツ ハーラー


Applicant, Patent owner：
インフィネオン テクノロジーズ オーストリア アクチエンゲゼルシャフト

About インフィネオン テクノロジーズ オーストリア アクチエンゲゼルシャフト


Agent (1)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009195339
Publication number (International publication number)：2010062557
Application date： Aug. 26, 2009
Publication date： Mar. 18, 2010
Summary：
【課題】セルピッチまたはトレンチ構造間の距離を拡大することなくゲート電荷ひいてはゲートキャパシタンスを低減することのできる半導体デバイスを提供する。【解決手段】トレンチゲート構造16内の少なくとも1つのゲート電極15は、少なくとも1つの垂直スイッチングチャネルを少なくとも1つのボディゾーンを介して制御する。トレンチゲート構造16は、側壁を有するトレンチ26を含む。ゲート電極15は、ボディゾーン20の領域内において、薄いゲート酸化物区域およびゲート酸化物より厚いトレンチ酸化物区域によって上記側壁から絶縁される。【選択図】図1A
Claim (excerpt)：
2つのスイッチング電極を有する半導体基材と、 上記スイッチング電極間のオフ状態とオン状態とを制御する、少なくとも1つのゲート電極と、 トレンチゲート構造とを含んでおり、上記トレンチゲート構造により、上記少なくとも1つのゲート電極が、少なくとも1つの垂直スイッチングチャネルを、少なくとも1つのボディゾーンを介して制御しており、 上記トレンチゲート構造は、側壁を有する少なくとも1つのトレンチを含んでおり、当該少なくとも1つのトレンチは、上記少なくとも1つのゲート電極を調節し、上記少なくとも1つのゲート電極は、上記少なくとも1つのボディゾーン内の領域内において少なくとも1つのゲート酸化物区域および少なくとも1つのトレンチ酸化物区域によって上記側壁から交互に絶縁されており、上記少なくとも1つのゲート電極は、上記少なくとも1つの領域内にゲート酸化物区域を有するスイッチングチャネルを形成している、半導体デバイス。
IPC (4)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/41
FI (5)：
H01L29/78 653C ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 652N ,  H01L29/58 G ,  H01L29/44 P
F-Term (5)：
4M104CC05 ,  4M104FF06 ,  4M104FF10 ,  4M104FF11 ,  4M104GG09
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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