疎水性多孔質酸化物粒子及び多孔質酸化物粒子の疎水化方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (6)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 鈴木三義 , 西和哉 , 村山靖彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009026535
Publication number (International publication number)：2010180110
Application date： Feb. 06, 2009
Publication date： Aug. 19, 2010
Summary：

【課題】空孔容積及び表面積が大きく、粒径が小さくかつ均一な疎水性多孔質酸化物粒子及び多孔質酸化物粒子の疎水化方法を提供する。【解決手段】本発明の疎水性多孔質酸化物粒子は、少なくとも表面に開口端を有する多数の空孔が形成された疎水性の酸化物粒子であり、この酸化物粒子の外表面及び空孔の内壁の表面における水酸基の数(N-OH)に対する有機置換基の数(NRO-)の比(NRO-/N-OH)は、1以上である。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

少なくとも表面に開口端を有する多数の空孔が形成された疎水性の酸化物粒子であって、前記酸化物粒子の外表面及び空孔の内壁の表面における水酸基の数(N-OH)に対する有機置換基の数(NRO-)の比(NRO-/N-OH)は、1以上であることを特徴とする疎水性多孔質酸化物粒子。

IPC (1)：

C01B 37/00

FI (1)：

C01B37/00

F-Term (17)：

4G073AA03 , 4G073BA62 , 4G073BA63 , 4G073BA75 , 4G073BB24 , 4G073BD21 , 4G073CZ53 , 4G073FE20 , 4G073FF02 , 4G073FF04 , 4G073GA11 , 4G073GA12 , 4G073GA13 , 4G073GA14 , 4G073UA01 , 4G073UA06 , 4G073UB11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

疎水性エアロゲルの製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-348779 Applicant：松下電工株式会社
低誘電率フィラーと、これを用いた低誘電率組成物および低誘電率膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-358610 Applicant：住友大阪セメント株式会社
表面修飾メソポーラスシリカ、並びにそれを用いた樹脂添加用スラリー組成物、樹脂用充填剤、樹脂組成物、高周波用電子部品及び高周波回路用基板。
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-279725 Applicant：豊田通商株式会社, 株式会社アドマテックス, 太陽化学株式会社

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Cited by examiner (10)

低誘電率フィラーと、これを用いた低誘電率組成物および低誘電率膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-358610 Applicant：住友大阪セメント株式会社
表面修飾メソポーラスシリカ、並びにそれを用いた樹脂添加用スラリー組成物、樹脂用充填剤、樹脂組成物、高周波用電子部品及び高周波回路用基板。
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-279725 Applicant：豊田通商株式会社, 株式会社アドマテックス, 太陽化学株式会社
アルコキシレーションによるメソポーラスシリカの表面修飾体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-216198 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

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