半導体装置の製造方法および基板処理装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：油井透 , 阿仁屋節雄 , 清野仁 , 福岡昌浩
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009178309
Publication number (International publication number)：2010153776
Application date： Jul. 30, 2009
Publication date： Jul. 08, 2010
Summary：

【課題】本発明の目的は、膜中の炭素、水素、窒素、塩素等の不純物濃度が極めて低い絶縁膜を低温で形成することができる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。【解決手段】基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、大気圧未満の圧力に設定した処理容器内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給することで、所定元素含有層を酸化層に改質する工程と、を交互に繰り返すことで、基板上に所定膜厚の酸化膜を形成する工程を有し、酸素含有ガスが酸素ガスまたはオゾンガスであり、水素含有ガスが水素ガスまたは重水素ガスであり、酸化膜を形成する工程では、基板の温度を400°C以上700°C以下とする。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで、前記基板上に所定元素含有層を形成する工程と、大気圧未満の圧力に設定した前記処理容器内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給することで、前記所定元素含有層を酸化層に改質する工程と、を交互に繰り返すことで、前記基板上に所定膜厚の酸化膜を形成する工程を有し、前記酸素含有ガスが酸素ガスまたはオゾンガスであり、前記水素含有ガスが水素ガスまたは重水素ガスであり、前記酸化膜を形成する工程では、前記基板の温度を400°C以上700°C以下とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (8)：

H01L 21/316 , H01L 21/31 , C23C 16/42 , C23C 16/455 , H01L 21/824 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (6)：

H01L21/316 X , H01L21/31 B , C23C16/42 , C23C16/455 , H01L29/78 371 , H01L27/10 434

F-Term (49)：

4K030AA01 , 4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA14 , 4K030AA17 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030EA03 , 4K030EA11 , 5F045AA15 , 5F045AB32 , 5F045AC01 , 5F045AC05 , 5F045AC11 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AF03 , 5F045BB14 , 5F045CA05 , 5F045EE19 , 5F058BC02 , 5F058BD02 , 5F058BD04 , 5F058BF02 , 5F058BF23 , 5F058BF24 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF37 , 5F058BF54 , 5F058BF55 , 5F058BF60 , 5F058BF61 , 5F058BF63 , 5F058BG03 , 5F058BJ01 , 5F083EP55 , 5F083EP56 , 5F083GA06 , 5F083GA27 , 5F083JA03 , 5F083JA39 , 5F083PR12 , 5F101BA26 , 5F101BA36 , 5F101BH03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-181282 Applicant：東京エレクトロン株式会社
特開平2-004973
基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-000974 Applicant：株式会社日立国際電気

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