インバータ及びその動作方法並びにインバータを含む論理回路

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：村山靖彦 , 志賀正武 , 渡邊隆 , 実広信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009227723
Publication number (International publication number)：2010087518
Application date： Sep. 30, 2009
Publication date： Apr. 15, 2010
Summary：

【課題】インバータ及びその動作方法並びにインバータを含む論理回路を提供する。【解決手段】負荷トランジスタと駆動トランジスタとを含み、負荷トランジスタと駆動トランジスタとのうち、少なくとも一つは、ダブルゲート構造を有するインバータである。該ダブルゲート構造によって、負荷トランジスタまたは前記駆動トランジスタのスレショルド電圧が調節され、従って、該インバータは、E/D(enhancement/depletion)モードでありうる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

負荷トランジスタと、前記負荷トランジスタと連結された駆動トランジスタとを含み、前記負荷トランジスタ及び前記駆動トランジスタのうち、少なくともいずれか一つは、ダブルゲート構造を有するインバータ。

IPC (10)：

H01L 29/786 , H01L 27/08 , H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 27/088 , H01L 21/28 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/822 , H01L 27/04

FI (9)：

H01L29/78 613Z , H01L29/78 617N , H01L29/78 618B , H01L27/08 331E , H01L27/08 321L , H01L27/08 311C , H01L21/28 301B , H01L29/58 G , H01L27/04 F

F-Term (36)：

4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104CC05 , 4M104FF02 , 4M104GG09 , 4M104GG14 , 5F038DF01 , 5F038DF05 , 5F038EZ06 , 5F038EZ20 , 5F048AA00 , 5F048AB01 , 5F048AB03 , 5F048AB04 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB02 , 5F048BB14 , 5F048BC06 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F110AA04 , 5F110BB01 , 5F110BB03 , 5F110BB05 , 5F110BB11 , 5F110CC01 , 5F110CC02 , 5F110CC07 , 5F110CC08 , 5F110EE30 , 5F110GG01 , 5F110HJ13 , 5F110HK31 , 5F110HM15 , 5F110NN78

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

デュアルゲート有機トランジスタを用いたインバータ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-243345 Applicant：韓國電子通信研究院
複合金属酸化物を含むチャネルを有する半導体デバイス
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2007-502848 Applicant：ヒューレット-パッカードデベロップメントカンパニーエル.ピー.
原子層蒸着法を利用したp型ZnO半導体膜の製造方法及びその製造方法で製造されたZnO半導体膜を含む薄膜トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-002403 Applicant：韓國電子通信研究院

Show all

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

Return to Previous Page