Pat
J-GLOBAL ID：201003056255985371

光電変換素子の製造方法および光電変換素子

Inventor：
山崎 努

About 山崎 努


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (7)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009080134
Publication number (International publication number)：2010232530
Application date： Mar. 27, 2009
Publication date： Oct. 14, 2010
Summary：
【課題】発電効率が低下するのを抑制することが可能な光電変換素子の製造方法およびその製造方法により製造された光電変換素子を提供する。【解決手段】シリコン基板にホウ素を拡散させることによってp型不純物拡散層を形成する工程と、p型不純物拡散層の表面のp型用電極の形成箇所に対応する箇所に酸化制御マスクを形成する工程と、p型不純物拡散層の表面に熱酸化シリコン膜を形成する工程と、p型不純物拡散層の表面のp型用電極の形成箇所に対応する箇所に形成されている酸化制御マスクを除去することによってp型不純物拡散層の表面の一部を露出させる工程と、酸化制御マスクを除去することによって露出したp型不純物拡散層の表面の一部にp型用電極を形成する工程とを含む光電変換素子の製造方法とその製造方法により製造された光電変換素子である。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
シリコン基板にホウ素を拡散させることによってp型不純物拡散層を形成する工程と、 前記p型不純物拡散層の表面のp型用電極の形成箇所に対応する箇所に酸化制御マスクを形成する工程と、 前記p型不純物拡散層の表面に熱酸化シリコン膜を形成する工程と、 前記p型不純物拡散層の表面のp型用電極の形成箇所に対応する箇所に形成されている前記酸化制御マスクを除去することによって前記p型不純物拡散層の表面の一部を露出させる工程と、 前記酸化制御マスクを除去することによって露出した前記p型不純物拡散層の表面の一部にp型用電極を形成する工程とを含む、光電変換素子の製造方法。
IPC (1)：
H01L 31/04
FI (1)：
H01L31/04 H
F-Term (8)：
5F051AA02 ,  5F051CB27 ,  5F051FA08 ,  5F051FA24 ,  5F151AA02 ,  5F151CB27 ,  5F151FA08 ,  5F151FA24
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (11)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM