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J-GLOBAL ID：201003080899359895

光位相制御素子および半導体発光素子

Inventor：
吉田谷 弘明

About 吉田谷 弘明


Applicant, Patent owner：
アンリツ株式会社

About アンリツ株式会社


Agent (1)： 有我 軍一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008281217
Publication number (International publication number)：2010109237
Application date： Oct. 31, 2008
Publication date： May. 13, 2010
Summary：
【課題】位相制御領域におけるキャリアの再結合および再結合に起因する光学利得を抑制し、電力消費を低減することができる光位相制御素子および半導体発光素子を提供する。【解決手段】n型InPからなる半導体基板11と、半導体基板11上に形成されたSiドープされたn型InPからなるn型クラッド層12と、n型クラッド層12上に形成され、入射された光の位相を変化させる活性導波路層13と、活性導波路層13上に形成されたZnドープされたp型InPからなるp型クラッド層14と、を備え、活性導波路層13は、4層のGaInAsPからなる電子閉じ込め層131と4層のAlGaInAsからなるホール閉じ込め層132が1層ずつ交互に積層された構造を有する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板上に、入射された光の位相を変化させる活性導波路層を備え、 前記活性導波路層が、電子閉じ込め層とホール閉じ込め層とがスタッガード型バンド構造をなして交互に積層されてなることを特徴とする光位相制御素子。
IPC (3)：
H01S 5/026 ,  H01S 5/343 ,  H01S 5/125
FI (3)：
H01S5/026 618 ,  H01S5/343 ,  H01S5/125
F-Term (9)：
5F173AB04 ,  5F173AB34 ,  5F173AD15 ,  5F173AF13 ,  5F173AF15 ,  5F173AH14 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AR06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 半導体レーザ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-060489   Applicant：日本電信電話株式会社
Cited by examiner (5)
  • 光導波路
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-030228   Applicant：沖電気工業株式会社
  • 光半導体素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-154041   Applicant：日本電気株式会社
  • 波長可変半導体レーザ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-022039   Applicant：日本電気株式会社
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