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J-GLOBAL ID:201003091272837947
パワーモジュール用基板及びその製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
青山 正和
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008215848
Publication number (International publication number):2010050415
Application date: Aug. 25, 2008
Publication date: Mar. 04, 2010
Summary:
【課題】最終製品だけでなく、レジスト膜印刷時にも反りのない状態とする、あるいは、必要に応じて若干の反りを生じさせるなどの反りを制御する。【解決手段】セラミックス基板2の表裏両面に金属板6,7がろう付け接合されるとともに、その表面側の金属板6に回路パターンが形成されてなるパワーモジュール用基板3であって、両金属板6,7のうちの少なくとも表面側の金属板6の表面に、内部応力を圧縮応力とした反り制御用めっき被膜8が形成されている。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
セラミックス基板の表裏両面に金属板がろう付け接合されるとともに、その表面側の金属板に回路パターンが形成されてなるパワーモジュール用基板であって、
両金属板のうちの少なくとも前記表面側の金属板の表面に、内部応力を圧縮応力とした反り制御用めっき被膜が形成されていることを特徴とするパワーモジュール用基板。
IPC (3):
H01L 23/13
, H01L 23/15
, C04B 37/02
FI (3):
H01L23/12 C
, H01L23/14 C
, C04B37/02 B
F-Term (15):
4G026BA03
, 4G026BA16
, 4G026BA17
, 4G026BB27
, 4G026BB37
, 4G026BE04
, 4G026BF20
, 4G026BF42
, 4G026BG02
, 4G026BG22
, 4G026BG25
, 4G026BG26
, 4G026BG28
, 4G026BH07
, 4G026BH08
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
-
金属-セラミックス回路基板およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-154343
Applicant:同和鉱業株式会社
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銅板接合AlN基板
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-343219
Applicant:川崎製鉄株式会社
Cited by examiner (5)
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放熱用絶縁基板及び半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-225292
Applicant:三菱電機株式会社
-
金属-セラミックス接合基板およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-376523
Applicant:同和鉱業株式会社
-
セラミック回路基板
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-289023
Applicant:京セラ株式会社
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