Cu-Ga合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：植木久一 , 菅河忠志 , 伊藤浩彰 , 植木久彦 , 竹岡明美
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010061280
Publication number (International publication number)：2010265544
Application date： Mar. 17, 2010
Publication date： Nov. 25, 2010
Summary：

【課題】膜の成分組成の均一性(膜均一性)に優れたCu-Gaスパッタリング膜を形成でき、かつ、スパッタリング中のアーキング発生を低減できると共に、強度が高くスパッタリング中の割れを抑制できるCu-Ga合金スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】Gaを含むCu基合金からなるスパッタリングターゲットであって、その平均結晶粒径が10μm以下であり、かつ気孔率が0.1%以下であることを特徴とするCu-Ga合金スパッタリングターゲット。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

Gaを含むCu基合金からなるスパッタリングターゲットであって、その平均結晶粒径が10μm以下であり、かつ気孔率が0.1%以下であることを特徴とするCu-Ga合金スパッタリングターゲット。

IPC (4)：

C23C 14/34 , C22C 9/00 , B22F 9/08 , B22F 3/15

FI (4)：

C23C14/34 A , C22C9/00 , B22F9/08 A , B22F3/15 M

F-Term (27)：

4K017AA04 , 4K017BA05 , 4K017BB18 , 4K017CA07 , 4K017DA09 , 4K017EB03 , 4K017EB21 , 4K017FA05 , 4K017FA09 , 4K017FA15 , 4K017FA23 , 4K018AA04 , 4K018BA02 , 4K018BB04 , 4K018CA50 , 4K018EA16 , 4K018FA06 , 4K018KA29 , 4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA21 , 4K029BC03 , 4K029BD00 , 4K029DC04 , 4K029DC07 , 4K029DC34 , 4K029DC39

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

高Ga含有Cu-Ga二元系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-323242 Applicant：三菱マテリアル株式会社
薄膜形成用スパッタリングターゲット
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-272745 Applicant：日立金属株式会社
特開平4-116161

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